კრისტალები

ABM11W-24.5535MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-24.5535MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168399

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-26.0000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168436

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM81-24.576MHZ-B4Y-T3

ABM81-24.576MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168400

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM11W-36.0000MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-36.0000MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168339

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-37.4000MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168422

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-26.0000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168358

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0500MHZ-8-B2U-T3

ABM11W-37.0500MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168430

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-24.9231MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168367

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5535MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-24.5535MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168412

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-42.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-42.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174371

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-27.1200MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168345

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-30.4000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-30.4000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174380

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-27.1200MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168380

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.4800MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-20.4800MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168429

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-24.5760MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168431

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-32.0000MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168425

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-38.4000MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168382

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-6-D2X-T3

ABM11W-27.0000MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168420

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-38.8800MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168340

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM8G-20.000MHZ-B4Y-T3

ABM8G-20.000MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168370

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-27.1200MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168436

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-50.0000MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168387

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2800MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-19.2800MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168393

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.28MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.4320MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-18.4320MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168387

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-26.0000MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-28.2240MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168361

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.3220MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-28.3220MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168407

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-33.3300MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168353

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-27.1200MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168409

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5535MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-24.5535MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168374

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-48.0000MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168372

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.4400MHZ-6-D2X-T3

ABM11W-19.4400MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168382

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2000MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-19.2000MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168437

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3333MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-33.3333MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168385

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-37.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-37.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174399

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5454MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-24.5454MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168419

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი