კრისტალები

ABM11W-37.0000MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-37.0000MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168434

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2000MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-19.2000MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168406

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.4800MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-20.4800MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168400

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-38.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168383

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-50.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168411

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-25.0000MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168432

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-27.1200MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168351

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-33.0000MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168342

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-40.0000MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168349

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5727MHZ-8-B2U-T3

ABM11W-24.5727MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168428

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-33.3330MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-33.3330MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174449

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.9680MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-19.9680MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168341

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.968MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-24.9231MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168428

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-38.8800MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168373

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-38.4000MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168339

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-20.0000MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168403

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-7-D2X-T3

ABM11W-28.6364MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168341

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-24.9231MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168377

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-26.0410MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168378

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-26.0000MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168401

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168370

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-48.0000MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168420

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-24.9231MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168423

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-35.4160MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168376

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-33.3300MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168348

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8688MHZ-7-K2Z-T3

ABM11W-33.8688MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168426

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.8688MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-38.8800MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168351

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-31.2500MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168384

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-38.4000MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168388

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-6-D2X-T3

ABM11W-24.5760MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168404

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-20.0000MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168436

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-30.0000MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168429

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-30.0000MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168391

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-31.2500MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168384

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-24.5760MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168349

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM81-20.000MHZ-B4Y-T3

ABM81-20.000MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168352

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი