კრისტალები

ABM10W-16.0132MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-16.0132MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174431

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.0132MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0000MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-16.0000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168340

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-7-D2X-T3

ABM11W-38.0000MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0500MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-37.0500MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168436

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5727MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-24.5727MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168357

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-8-B2U-T3

ABM11W-24.9231MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168408

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0000MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-37.0000MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168343

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3330MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-33.3330MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168376

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-8-K1Z-T3

ABM11W-24.5760MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168358

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-44.0000MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-44.0000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168395

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-26.0410MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168416

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.3220MHZ-7-K2Z-T3

ABM11W-28.3220MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168386

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-36.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-36.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-24.9231MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168424

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168391

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-49.1520MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-49.1520MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168366

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 49.152MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-27.1200MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-27.1200MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168421

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0000MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-37.0000MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168383

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-44.0000MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-44.0000MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168372

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-33.0000MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168436

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.3220MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-28.3220MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168375

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-32.0000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168433

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.0000MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-24.0000MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168397

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-16.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168348

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5727MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-24.5727MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168351

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-24.5760MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168365

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-38.0000MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168393

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-27.0000MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168352

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.0000MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-24.0000MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168363

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0132MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-16.0132MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168371

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.0132MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-8-B2U-T3

ABM11W-26.0000MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168386

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.4800MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-20.4800MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168384

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0000MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-37.0000MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168426

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2000MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-19.2000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168437

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5535MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-24.5535MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168424

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-24.5455MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168341

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი