კრისტალები

ABM11W-24.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-24.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130819

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-36.0000MHZ-8-D2X-T3

ABM12W-36.0000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126308

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-48.0000MHZ-6-D2X-T3

ABM12W-48.0000MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126330

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0000MHZ-7-B1U-T3

ABM12W-37.0000MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126263

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.4000MHZ-6-B2U-T3

ABM12W-37.4000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126287

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5727MHZ-6-B2U-T3

ABM12W-24.5727MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126283

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-38.4000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130859

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.0000MHZ-7-D2X-T3

ABM12W-24.0000MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126319

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.1200MHZ-8-D2X-T3

ABM12W-27.1200MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126288

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5760MHZ-7-B1U-T3

ABM12W-24.5760MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126307

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.0000MHZ-7-K2Z-T3

ABM12W-24.0000MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126282

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.0000MHZ-8-B2U-T3

ABM12W-33.0000MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126260

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-32.0000MHZ-6-K1Z-T3

ABM12W-32.0000MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126306

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5760MHZ-7-J1Z-T3

ABM12W-24.5760MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126291

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.0000MHZ-6-B1U-T3

ABM12W-24.0000MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126255

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5535MHZ-8-J1Z-T3

ABM12W-24.5535MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126266

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-48.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130820

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM12W-36.0000MHZ-6-B2U-T3

ABM12W-36.0000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126325

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.9600MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-40.9600MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130847

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-8-B1U-T3

ABM12W-37.0500MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126290

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0410MHZ-8-B2U-T3

ABM12W-26.0410MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126305

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.0000MHZ-6-K2Z-T3

ABM12W-30.0000MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126304

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.0000MHZ-8-D2X-T3

ABM12W-24.0000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126273

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.4000MHZ-6-B2U-T3

ABM12W-38.4000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126263

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.0000MHZ-7-K1Z-T3

ABM12W-30.0000MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126299

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-32.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130854

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3330MHZ-6-J1Z-T3

ABM12W-33.3330MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126279

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.4000MHZ-6-D1X-T3

ABM12W-37.4000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126305

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-6-J1Z-T3

ABM12W-37.0500MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126262

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.0000MHZ-7-D2X-T3

ABM12W-33.0000MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126321

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.0000MHZ-6-K2Z-T3

ABM12W-27.0000MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126280

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3330MHZ-6-B1U-T3

ABM12W-33.3330MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126283

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-7-J1Z-T3

ABM12W-37.0500MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126353

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.0000MHZ-8-J1Z-T3

ABM12W-38.0000MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126263

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-25.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130792

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-6-B1U-T3

ABM12W-37.0500MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126321

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი