კრისტალები

ABM11W-22.6600MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-22.6600MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130767

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.66MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.8800MHZ-7-J2Z-T3

ABM12W-38.8800MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126267

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5454MHZ-8-D2X-T3

ABM12W-24.5454MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126292

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.8800MHZ-7-K1Z-T3

ABM12W-38.8800MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126332

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-48.0000MHZ-6-D1X-T3

ABM12W-48.0000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126342

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5454MHZ-8-D1X-T3

ABM12W-24.5454MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126325

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3300MHZ-8-J1Z-T3

ABM12W-33.3300MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126283

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0000MHZ-6-J2Z-T3

ABM12W-26.0000MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126259

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-32.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM12W-32.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126334

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.0000MHZ-8-K1Z-T3

ABM12W-27.0000MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126334

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5535MHZ-6-D1X-T3

ABM12W-24.5535MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126276

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.0000MHZ-8-J1Z-T3

ABM12W-33.0000MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126331

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.1200MHZ-8-D1X-T3

ABM12W-27.1200MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126316

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0000MHZ-6-D2X-T3

ABM12W-26.0000MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126261

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-8-J2Z-T3

ABM12W-37.0500MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126316

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3300MHZ-7-B2U-T3

ABM12W-33.3300MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126352

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3330MHZ-6-J2Z-T3

ABM12W-33.3330MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126288

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.0000MHZ-8-J1Z-T3

ABM12W-30.0000MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126257

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.1184MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-22.1184MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130855

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0410MHZ-7-D2X-T3

ABM12W-26.0410MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 126263

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0410MHZ-6-K1Z-T3

ABM12W-26.0410MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126318

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5535MHZ-8-B2U-T3

ABM12W-24.5535MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126298

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-40.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM12W-40.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126255

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-40.0000MHZ-8-B1U-T3

ABM12W-40.0000MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126321

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.4000MHZ-8-J2Z-T3

ABM12W-38.4000MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126309

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-6-B2U-T3

ABM12W-37.0500MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126329

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3333MHZ-8-K2Z-T3

ABM12W-33.3333MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126347

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0410MHZ-6-J2Z-T3

ABM12W-26.0410MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126327

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.3050MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-24.3050MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130777

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.305MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-36.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM12W-36.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126281

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.9231MHZ-8-J2Z-T3

ABM12W-24.9231MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126296

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3333MHZ-7-B2U-T3

ABM12W-33.3333MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126333

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.0000MHZ-6-D1X-T3

ABM12W-24.0000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126351

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.8800MHZ-6-B2U-T3

ABM12W-38.8800MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 126276

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.9344MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-16.9344MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130827

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.9344MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-6-K1Z-T3

ABM12W-37.0500MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126343

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი