ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RC6432F2943CS

RC6432F2943CS

ნაწილი საფონდო: 105813

წინააღმდეგობა: 294 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2R05CS

RC6432F2R05CS

ნაწილი საფონდო: 190433

წინააღმდეგობა: 2.05 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1783CS

RC6432F1783CS

ნაწილი საფონდო: 166203

წინააღმდეგობა: 178 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2R15CS

RC6432F2R15CS

ნაწილი საფონდო: 147639

წინააღმდეგობა: 2.15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F102CS

RC6432F102CS

ნაწილი საფონდო: 184563

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F11R8CS

RC6432F11R8CS

ნაწილი საფონდო: 151771

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F122CS

RC6432F122CS

ნაწილი საფონდო: 174347

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1471CS

RC6432F1471CS

ნაწილი საფონდო: 106679

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R78CS

RC6432F1R78CS

ნაწილი საფონდო: 193382

წინააღმდეგობა: 1.78 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2104CS

RC6432F2104CS

ნაწილი საფონდო: 196952

წინააღმდეგობა: 2.1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F220CS

RC6432F220CS

ნაწილი საფონდო: 138854

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R1CS

RC6432F1R1CS

ნაწილი საფონდო: 184766

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F130CS

RC6432F130CS

ნაწილი საფონდო: 170027

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2942CS

RC6432F2942CS

ნაწილი საფონდო: 149052

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R21CS

RC6432F1R21CS

ნაწილი საფონდო: 106477

წინააღმდეგობა: 1.21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3013CS

RC6432F3013CS

ნაწილი საფონდო: 112545

წინააღმდეგობა: 301 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F29R4CS

RC6432F29R4CS

ნაწილი საფონდო: 132146

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1871CS

RC6432F1871CS

ნაწილი საფონდო: 183214

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F27R4CS

RC6432F27R4CS

ნაწილი საფონდო: 169272

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F162CS

RC6432F162CS

ნაწილი საფონდო: 185144

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1072CS

RC6432F1072CS

ნაწილი საფონდო: 108620

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F105CS

RC6432F105CS

ნაწილი საფონდო: 121733

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2371CS

RC6432F2371CS

ნაწილი საფონდო: 132843

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F132CS

RC6432F132CS

ნაწილი საფონდო: 4873

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F240CS

RC6432F240CS

ნაწილი საფონდო: 135535

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1780CS

RC6432F1780CS

ნაწილი საფონდო: 160804

წინააღმდეგობა: 178 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1584CS

RC6432F1584CS

ნაწილი საფონდო: 113996

წინააღმდეგობა: 1.58 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2154CS

RC6432F2154CS

ნაწილი საფონდო: 137074

წინააღმდეგობა: 2.15 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1740CS

RC6432F1740CS

ნაწილი საფონდო: 198841

წინააღმდეგობა: 174 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1050CS

RC6432F1050CS

ნაწილი საფონდო: 135570

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F100CS

RC6432F100CS

ნაწილი საფონდო: 172855

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1961CS

RC6432F1961CS

ნაწილი საფონდო: 178839

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2802CS

RC6432F2802CS

ნაწილი საფონდო: 156888

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1073CS

RC6432F1073CS

ნაწილი საფონდო: 145612

წინააღმდეგობა: 107 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1183CS

RC6432F1183CS

ნაწილი საფონდო: 113854

წინააღმდეგობა: 118 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1784CS

RC6432F1784CS

ნაწილი საფონდო: 108203

წინააღმდეგობა: 1.78 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი