ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RC6432F2432CS

RC6432F2432CS

ნაწილი საფონდო: 174313

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F152CS

RC6432F152CS

ნაწილი საფონდო: 173226

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F10R7CS

RC6432F10R7CS

ნაწილი საფონდო: 100455

წინააღმდეგობა: 10.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1741CS

RC6432F1741CS

ნაწილი საფონდო: 187654

წინააღმდეგობა: 1.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1023CS

RC6432F1023CS

ნაწილი საფონდო: 145095

წინააღმდეგობა: 102 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1652CS

RC6432F1652CS

ნაწილი საფონდო: 135036

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2740CS

RC6432F2740CS

ნაწილი საფონდო: 181575

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F201CS

RC6432F201CS

ნაწილი საფონდო: 178602

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R0CS

RC6432F1R0CS

ნაწილი საფონდო: 112887

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R40CS

RC6432F1R40CS

ნაწილი საფონდო: 125388

წინააღმდეგობა: 1.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F23R2CS

RC6432F23R2CS

ნაწილი საფონდო: 116274

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1070CS

RC6432F1070CS

ნაწილი საფონდო: 127114

წინააღმდეგობა: 107 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F25R5CS

RC6432F25R5CS

ნაწილი საფონდო: 178749

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1130CS

RC6432F1130CS

ნაწილი საფონდო: 153757

წინააღმდეგობა: 113 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F163CS

RC6432F163CS

ნაწილი საფონდო: 124448

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1963CS

RC6432F1963CS

ნაწილი საფონდო: 157667

წინააღმდეგობა: 196 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R05CS

RC6432F1R05CS

ნაწილი საფონდო: 158898

წინააღმდეგობა: 1.05 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2R49CS

RC6432F2R49CS

ნაწილი საფონდო: 163464

წინააღმდეგობა: 2.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2151CS

RC6432F2151CS

ნაწილი საფონდო: 125912

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R74CS

RC6432F1R74CS

ნაწილი საფონდო: 146761

წინააღმდეგობა: 1.74 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F131CS

RC6432F131CS

ნაწილი საფონდო: 191244

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3241CS

RC6432F3241CS

ნაწილი საფონდო: 158200

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2R26CS

RC6432F2R26CS

ნაწილი საფონდო: 155962

წინააღმდეგობა: 2.26 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F11R3CS

RC6432F11R3CS

ნაწილი საფონდო: 107512

წინააღმდეგობა: 11.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F153CS

RC6432F153CS

ნაწილი საფონდო: 131850

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3094CS

RC6432F3094CS

ნაწილი საფონდო: 103608

წინააღმდეგობა: 3.09 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2262CS

RC6432F2262CS

ნაწილი საფონდო: 199276

წინააღმდეგობა: 22.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F11R5CS

RC6432F11R5CS

ნაწილი საფონდო: 169857

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F222CS

RC6432F222CS

ნაწილი საფონდო: 186626

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F125CS

RC6432F125CS

ნაწილი საფონდო: 180904

წინააღმდეგობა: 1.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1743CS

RC6432F1743CS

ნაწილი საფონდო: 180301

წინააღმდეგობა: 174 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1623CS

RC6432F1623CS

ნაწილი საფონდო: 123623

წინააღმდეგობა: 162 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1181CS

RC6432F1181CS

ნაწილი საფონდო: 115444

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2430CS

RC6432F2430CS

ნაწილი საფონდო: 159336

წინააღმდეგობა: 243 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2552CS

RC6432F2552CS

ნაწილი საფონდო: 146483

წინააღმდეგობა: 25.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R91CS

RC6432F1R91CS

ნაწილი საფონდო: 181627

წინააღმდეგობა: 1.91 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი