ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RC6432F4530CS

RC6432F4530CS

ნაწილი საფონდო: 119056

წინააღმდეგობა: 453 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F7R87CS

RC6432F7R87CS

ნაწილი საფონდო: 199789

წინააღმდეგობა: 7.87 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3R32CS

RC6432F3R32CS

ნაწილი საფონდო: 123755

წინააღმდეგობა: 3.32 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6040CS

RC6432F6040CS

ნაწილი საფონდო: 178651

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F335CS

RC6432F335CS

ნაწილი საფონდო: 171153

წინააღმდეგობა: 3.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4534CS

RC6432F4534CS

ნაწილი საფონდო: 175553

წინააღმდეგობა: 4.53 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432J106CS

RC6432J106CS

ნაწილი საფონდო: 124537

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F9313CS

RC6432F9313CS

ნაწილი საფონდო: 149748

წინააღმდეგობა: 931 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4R32CS

RC6432F4R32CS

ნაწილი საფონდო: 173646

წინააღმდეგობა: 4.32 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F60R4CS

RC6432F60R4CS

ნაწილი საფონდო: 175593

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6490CS

RC6432F6490CS

ნაწილი საფონდო: 125418

წინააღმდეგობა: 649 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F271CS

RC6432F271CS

ნაწილი საფონდო: 182997

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2493CS

RC6432F2493CS

ნაწილი საფონდო: 152117

წინააღმდეგობა: 249 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F221CS

RC6432F221CS

ნაწილი საფონდო: 126078

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1431CS

RC6432F1431CS

ნაწილი საფონდო: 187760

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F330CS

RC6432F330CS

ნაწილი საფონდო: 122565

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F135CS

RC6432F135CS

ნაწილი საფონდო: 196646

წინააღმდეგობა: 1.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2874CS

RC6432F2874CS

ნაწილი საფონდო: 184872

წინააღმდეგობა: 2.87 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F224CS

RC6432F224CS

ნაწილი საფონდო: 185048

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F28R7CS

RC6432F28R7CS

ნაწილი საფონდო: 193107

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R13CS

RC6432F1R13CS

ნაწილი საფონდო: 176682

წინააღმდეგობა: 1.13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1872CS

RC6432F1872CS

ნაწილი საფონდო: 100211

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R5CS

RC6432F1R5CS

ნაწილი საფონდო: 189111

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1210CS

RC6432F1210CS

ნაწილი საფონდო: 116481

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F30R1CS

RC6432F30R1CS

ნაწილი საფონდო: 116359

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2211CS

RC6432F2211CS

ნაწილი საფონდო: 130412

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1R24CS

RC6432F1R24CS

ნაწილი საფონდო: 141164

წინააღმდეგობა: 1.24 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F245CS

RC6432F245CS

ნაწილი საფონდო: 172798

წინააღმდეგობა: 2.4 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2100CS

RC6432F2100CS

ნაწილი საფონდო: 180843

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1274CS

RC6432F1274CS

ნაწილი საფონდო: 192378

წინააღმდეგობა: 1.27 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F270CS

RC6432F270CS

ნაწილი საფონდო: 184143

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3092CS

RC6432F3092CS

ნაწილი საფონდო: 157947

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2R7CS

RC6432F2R7CS

ნაწილი საფონდო: 104216

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F106CS

RC6432F106CS

ნაწილი საფონდო: 192941

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F2491CS

RC6432F2491CS

ნაწილი საფონდო: 141452

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F1374CS

RC6432F1374CS

ნაწილი საფონდო: 113523

წინააღმდეგობა: 1.37 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი