ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RC6432F5762CS

RC6432F5762CS

ნაწილი საფონდო: 152458

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F88R7CS

RC6432F88R7CS

ნაწილი საფონდო: 132556

წინააღმდეგობა: 88.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432J103CS

RC6432J103CS

ნაწილი საფონდო: 133731

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3744CS

RC6432F3744CS

ნაწილი საფონდო: 159569

წინააღმდეგობა: 3.74 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432J155CS

RC6432J155CS

ნაწილი საფონდო: 103232

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F361CS

RC6432F361CS

ნაწილი საფონდო: 159941

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F5360CS

RC6432F5360CS

ნაწილი საფონდო: 135888

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F41R2CS

RC6432F41R2CS

ნაწილი საფონდო: 137198

წინააღმდეგობა: 41.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4R22CS

RC6432F4R22CS

ნაწილი საფონდო: 152678

წინააღმდეგობა: 4.22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6811CS

RC6432F6811CS

ნაწილი საფონდო: 186889

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F7324CS

RC6432F7324CS

ნაწილი საფონდო: 144215

წინააღმდეგობა: 7.32 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F9092CS

RC6432F9092CS

ნაწილი საფონდო: 161969

წინააღმდეგობა: 90.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4531CS

RC6432F4531CS

ნაწილი საფონდო: 108345

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4220CS

RC6432F4220CS

ნაწილი საფონდო: 103099

წინააღმდეგობა: 422 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F5R1CS

RC6432F5R1CS

ნაწილი საფონდო: 128156

წინააღმდეგობა: 5.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F5361CS

RC6432F5361CS

ნაწილი საფონდო: 109144

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F621CS

RC6432F621CS

ნაწილი საფონდო: 170997

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F685CS

RC6432F685CS

ნაწილი საფონდო: 133735

წინააღმდეგობა: 6.8 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432J153CS

RC6432J153CS

ნაწილი საფონდო: 188021

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4422CS

RC6432F4422CS

ნაწილი საფონდო: 182351

წინააღმდეგობა: 44.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F364CS

RC6432F364CS

ნაწილი საფონდო: 115249

წინააღმდეგობა: 360 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4020CS

RC6432F4020CS

ნაწილი საფონდო: 141191

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6043CS

RC6432F6043CS

ნაწილი საფონდო: 159735

წინააღმდეგობა: 604 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F5233CS

RC6432F5233CS

ნაწილი საფონდო: 5602

წინააღმდეგობა: 523 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6R34CS

RC6432F6R34CS

ნაწილი საფონდო: 103038

წინააღმდეგობა: 6.34 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3920CS

RC6432F3920CS

ნაწილი საფონდო: 177207

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3650CS

RC6432F3650CS

ნაწილი საფონდო: 131537

წინააღმდეგობა: 365 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F33R2CS

RC6432F33R2CS

ნაწილი საფონდო: 126748

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F5114CS

RC6432F5114CS

ნაწილი საფონდო: 102544

წინააღმდეგობა: 5.11 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4R64CS

RC6432F4R64CS

ნაწილი საფონდო: 193790

წინააღმდეგობა: 4.64 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6982CS

RC6432F6982CS

ნაწილი საფონდო: 141285

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F7321CS

RC6432F7321CS

ნაწილი საფონდო: 146265

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6494CS

RC6432F6494CS

ნაწილი საფონდო: 123472

წინააღმდეგობა: 6.49 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3400CS

RC6432F3400CS

ნაწილი საფონდო: 114351

წინააღმდეგობა: 340 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F9763CS

RC6432F9763CS

ნაწილი საფონდო: 137476

წინააღმდეგობა: 976 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F8R2CS

RC6432F8R2CS

ნაწილი საფონდო: 137684

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი