ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RC6432F8R25CS

RC6432F8R25CS

ნაწილი საფონდო: 158756

წინააღმდეგობა: 8.25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3652CS

RC6432F3652CS

ნაწილი საფონდო: 184571

წინააღმდეგობა: 36.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F39R2CS

RC6432F39R2CS

ნაწილი საფონდო: 117382

წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432J121CS

RC6432J121CS

ნაწილი საფონდო: 195965

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F8660CS

RC6432F8660CS

ნაწილი საფონდო: 103488

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F5R23CS

RC6432F5R23CS

ნაწილი საფონდო: 159038

წინააღმდეგობა: 5.23 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4324CS

RC6432F4324CS

ნაწილი საფონდო: 117361

წინააღმდეგობა: 4.32 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6650CS

RC6432F6650CS

ნაწილი საფონდო: 124864

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F394CS

RC6432F394CS

ნაწილი საფონდო: 179990

წინააღმდეგობა: 390 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F8R06CS

RC6432F8R06CS

ნაწილი საფონდო: 156894

წინააღმდეგობა: 8.06 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F434CS

RC6432F434CS

ნაწილი საფონდო: 120963

წინააღმდეგობა: 430 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F7R5CS

RC6432F7R5CS

ნაწილი საფონდო: 160363

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6041CS

RC6432F6041CS

ნაწილი საფონდო: 146233

წინააღმდეგობა: 6.04 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3480CS

RC6432F3480CS

ნაწილი საფონდო: 162848

წინააღმდეგობა: 348 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F825CS

RC6432F825CS

ნაწილი საფონდო: 132288

წინააღმდეგობა: 8.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F3741CS

RC6432F3741CS

ნაწილი საფონდო: 197094

წინააღმდეგობა: 3.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F5R11CS

RC6432F5R11CS

ნაწილი საფონდო: 110802

წინააღმდეგობა: 5.11 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F8R87CS

RC6432F8R87CS

ნაწილი საფონდო: 188694

წინააღმდეგობა: 8.87 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F5232CS

RC6432F5232CS

ნაწილი საფონდო: 186760

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4R75CS

RC6432F4R75CS

ნაწილი საფონდო: 199866

წინააღმდეგობა: 4.75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F51R1CS

RC6432F51R1CS

ნაწილი საფონდო: 172533

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F9090CS

RC6432F9090CS

ნაწილი საფონდო: 189508

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F625CS

RC6432F625CS

ნაწილი საფონდო: 128560

წინააღმდეგობა: 6.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F472CS

RC6432F472CS

ნაწილი საფონდო: 103536

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F562CS

RC6432F562CS

ნაწილი საფონდო: 171327

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F47R5CS

RC6432F47R5CS

ნაწილი საფონდო: 101886

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F9R09CS

RC6432F9R09CS

ნაწილი საფონდო: 119532

წინააღმდეგობა: 9.09 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F395CS

RC6432F395CS

ნაწილი საფონდო: 106103

წინააღმდეგობა: 3.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432J115CS

RC6432J115CS

ნაწილი საფონდო: 181107

წინააღმდეგობა: 1.1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6194CS

RC6432F6194CS

ნაწილი საფონდო: 168501

წინააღმდეგობა: 6.19 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F8450CS

RC6432F8450CS

ნაწილი საფონდო: 128580

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F7870CS

RC6432F7870CS

ნაწილი საფონდო: 181007

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F4424CS

RC6432F4424CS

ნაწილი საფონდო: 166270

წინააღმდეგობა: 4.42 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RC6432F5R6CS

RC6432F5R6CS

ნაწილი საფონდო: 126302

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F6R65CS

RC6432F6R65CS

ნაწილი საფონდო: 107493

წინააღმდეგობა: 6.65 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
RC6432F911CS

RC6432F911CS

ნაწილი საფონდო: 165144

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი