ფიქსირებული ინდუქტორები

ELC-12D221E

ELC-12D221E

ნაწილი საფონდო: 135475

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A,

სასურველი
ELC-12D151E

ELC-12D151E

ნაწილი საფონდო: 135429

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.67A,

სასურველი
ETQ-P4M150KVC

ETQ-P4M150KVC

ნაწილი საფონდო: 135114

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.2A,

სასურველი
ETQ-P4M150KVK

ETQ-P4M150KVK

ნაწილი საფონდო: 138888

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.7A,

სასურველი
ETQ-P4M4R7KVK

ETQ-P4M4R7KVK

ნაწილი საფონდო: 138944

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 15.1A,

სასურველი
ELC-12D122E

ELC-12D122E

ნაწილი საფონდო: 135457

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 860mA,

სასურველი
ELC-12D181E

ELC-12D181E

ნაწილი საფონდო: 135441

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.58A,

სასურველი
ELC-12D682E

ELC-12D682E

ნაწილი საფონდო: 135444

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
ETQ-P4M220KVK

ETQ-P4M220KVK

ნაწილი საფონდო: 138920

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.7A,

სასურველი
ELC-12D472E

ELC-12D472E

ნაწილი საფონდო: 135466

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,

სასურველი
ETQ-P4M2R2KVK

ETQ-P4M2R2KVK

ნაწილი საფონდო: 138871

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 20.4A,

სასურველი
ELC-12D222E

ELC-12D222E

ნაწილი საფონდო: 135502

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
ETQ-P4M1R5KVK

ETQ-P4M1R5KVK

ნაწილი საფონდო: 138907

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 15.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 22.5A,

სასურველი
ELC-10E100L

ELC-10E100L

ნაწილი საფონდო: 120006

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A,

სასურველი
ELC-12D182E

ELC-12D182E

ნაწილი საფონდო: 135430

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA,

სასურველი
ETQ-P4M100KVK

ETQ-P4M100KVK

ნაწილი საფონდო: 138913

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.1A,

სასურველი
ELC-12D562E

ELC-12D562E

ნაწილი საფონდო: 135434

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,

სასურველი
ELC-12D821E

ELC-12D821E

ნაწილი საფონდო: 135484

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 940mA,

სასურველი
ELC-12D392E

ELC-12D392E

ნაწილი საფონდო: 135462

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
ETQ-P4MR68KVK

ETQ-P4MR68KVK

ნაწილი საფონდო: 135075

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 19.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 29A,

სასურველი
ELC-12D391E

ELC-12D391E

ნაწილი საფონდო: 135425

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.32A,

სასურველი
ETQ-P4M330KVC

ETQ-P4M330KVC

ნაწილი საფონდო: 60617

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.6A,

სასურველი
ETQ-P4M100KVC

ETQ-P4M100KVC

ნაწილი საფონდო: 135081

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 10.8A,

სასურველი
ELC-12D101E

ELC-12D101E

ნაწილი საფონდო: 135496

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A,

სასურველი
ETQ-P4M470KVC

ETQ-P4M470KVC

ნაწილი საფონდო: 135094

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.7A,

სასურველი
ELC-12D332E

ELC-12D332E

ნაწილი საფონდო: 135417

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,

სასურველი
ELC-12D152E

ELC-12D152E

ნაწილი საფონდო: 135480

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA,

სასურველი
ETQ-P4M220KVC

ETQ-P4M220KVC

ნაწილი საფონდო: 135076

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.4A,

სასურველი
ELC-12D102E

ELC-12D102E

ნაწილი საფონდო: 135441

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 870mA,

სასურველი
ETQ-P4M2R2KVC

ETQ-P4M2R2KVC

ნაწილი საფონდო: 135120

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 14.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 21A,

სასურველი
ELC-12D121E

ELC-12D121E

ნაწილი საფონდო: 135414

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.78A,

სასურველი
ETQ-P4M1R0KVK

ETQ-P4M1R0KVK

ნაწილი საფონდო: 138908

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 17.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 24.4A,

სასურველი
ETQ-P4M1R0KVC

ETQ-P4M1R0KVC

ნაწილი საფონდო: 135158

მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 23.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 34.6A,

სასურველი
ELC-12D822E

ELC-12D822E

ნაწილი საფონდო: 135430

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,

სასურველი
ELC-12D272E

ELC-12D272E

ნაწილი საფონდო: 135463

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,

სასურველი
ELL-8TP6R8NB

ELL-8TP6R8NB

ნაწილი საფონდო: 142828

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,

სასურველი