ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

ERD-S1TJ160V

ERD-S1TJ160V

ნაწილი საფონდო: 182526

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF18R0

ERO-S2PHF18R0

ნაწილი საფონდო: 179014

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ305V

ERD-S1TJ305V

ნაწილი საფონდო: 136094

წინააღმდეგობა: 3 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF1603

ERO-S2PHF1603

ნაწილი საფონდო: 156431

წინააღმდეგობა: 160 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF5603

ERO-S2PHF5603

ნაწილი საფონდო: 113778

წინააღმდეგობა: 560 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ275V

ERD-S1TJ275V

ნაწილი საფონდო: 134761

წინააღმდეგობა: 2.7 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF27R0

ERO-S2PHF27R0

ნაწილი საფონდო: 103035

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF2941

ERO-S2PHF2941

ნაწილი საფონდო: 142508

წინააღმდეგობა: 2.94 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ114V

ERD-S1TJ114V

ნაწილი საფონდო: 119795

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ1R1V

ERD-S1TJ1R1V

ნაწილი საფონდო: 164284

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF6203

ERO-S2PHF6203

ნაწილი საფონდო: 152070

წინააღმდეგობა: 620 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ1R6V

ERD-S1TJ1R6V

ნაწილი საფონდო: 105890

წინააღმდეგობა: 1.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF5112

ERO-S2PHF5112

ნაწილი საფონდო: 110767

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF5620

ERO-S2PHF5620

ნაწილი საფონდო: 110928

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF3482

ERO-S2PHF3482

ნაწილი საფონდო: 185943

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ2R4V

ERD-S1TJ2R4V

ნაწილი საფონდო: 161192

წინააღმდეგობა: 2.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ364V

ERD-S1TJ364V

ნაწილი საფონდო: 151035

წინააღმდეგობა: 360 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ6R2V

ERD-S1TJ6R2V

ნაწილი საფონდო: 185859

წინააღმდეგობა: 6.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF4222

ERO-S2PHF4222

ნაწილი საფონდო: 112747

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ110V

ERD-S1TJ110V

ნაწილი საფონდო: 160602

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ753V

ERD-S1TJ753V

ნაწილი საფონდო: 155084

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ434V

ERD-S1TJ434V

ნაწილი საფონდო: 113609

წინააღმდეგობა: 430 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF6801

ERO-S2PHF6801

ნაწილი საფონდო: 119860

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ624V

ERD-S1TJ624V

ნაწილი საფონდო: 172058

წინააღმდეგობა: 620 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -700ppm/°C,

სასურველი
ERO-S2PHF3241

ERO-S2PHF3241

ნაწილი საფონდო: 129230

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ1R5V

ERD-S1TJ1R5V

ნაწილი საფონდო: 142531

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S1TJ244V

ERD-S1TJ244V

ნაწილი საფონდო: 139456

წინააღმდეგობა: 240 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ2R4V

ERD-S2TJ2R4V

ნაწილი საფონდო: 135275

წინააღმდეგობა: 2.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ360V

ERD-S2TJ360V

ნაწილი საფონდო: 142843

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ114V

ERD-S2TJ114V

ნაწილი საფონდო: 169820

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ1R3V

ERD-S2TJ1R3V

ნაწილი საფონდო: 122589

წინააღმდეგობა: 1.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ754V

ERD-S2TJ754V

ნაწილი საფონდო: 184783

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ204V

ERD-S2TJ204V

ნაწილი საფონდო: 127106

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ1R6V

ERD-S2TJ1R6V

ნაწილი საფონდო: 158233

წინააღმდეგობა: 1.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ134V

ERD-S2TJ134V

ნაწილი საფონდო: 136885

წინააღმდეგობა: 130 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -500ppm/°C,

სასურველი
ERD-S2TJ165V

ERD-S2TJ165V

ნაწილი საფონდო: 179615

წინააღმდეგობა: 1.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Carbon Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -150/ -1000ppm/°C,

სასურველი