ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-2HRB1870P

ERA-2HRB1870P

ნაწილი საფონდო: 8309

წინააღმდეგობა: 187 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB6191P

ERA-2HRB6191P

ნაწილი საფონდო: 8483

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1912P

ERA-2HRC1912P

ნაწილი საფონდო: 8797

წინააღმდეგობა: 19.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC4871P

ERA-2HRC4871P

ნაწილი საფონდო: 8930

წინააღმდეგობა: 4.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1051P

ERA-2HRB1051P

ნაწილი საფონდო: 8179

წინააღმდეგობა: 1.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC5620P

ERA-2HRC5620P

ნაწილი საფონდო: 8879

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC8200P

ERA-2HRC8200P

ნაწილი საფონდო: 8986

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1400P

ERA-2HRB1400P

ნაწილი საფონდო: 8233

წინააღმდეგობა: 140 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB4750P

ERA-2HRB4750P

ნაწილი საფონდო: 8445

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB8870P

ERA-2HRB8870P

ნაწილი საფონდო: 8563

წინააღმდეგობა: 887 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC3300P

ERA-2HRC3300P

ნაწილი საფონდო: 8866

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB5600P

ERA-2HRB5600P

ნაწილი საფონდო: 8440

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1910V

ERA-3EEB1910V

ნაწილი საფონდო: 9171

წინააღმდეგობა: 191 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD28R0P

ERA-2HHD28R0P

ნაწილი საფონდო: 8040

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB4701P

ERA-2HRB4701P

ნაწილი საფონდო: 8492

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1690P

ERA-2HRB1690P

ნაწილი საფონდო: 8292

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB8251P

ERA-2HRB8251P

ნაწილი საფონდო: 8602

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD27R4P

ERA-2HHD27R4P

ნაწილი საფონდო: 8024

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC3831P

ERA-2HRC3831P

ნაწილი საფონდო: 8869

წინააღმდეგობა: 3.83 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1400V

ERA-3EEB1400V

ნაწილი საფონდო: 9134

წინააღმდეგობა: 140 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB2320P

ERA-2HRB2320P

ნაწილი საფონდო: 8301

წინააღმდეგობა: 232 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC5111P

ERA-2HRC5111P

ნაწილი საფონდო: 8876

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1470P

ERA-2HRC1470P

ნაწილი საფონდო: 8727

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB54R9P

ERA-2HRB54R9P

ნაწილი საფონდო: 8484

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB97R6P

ERA-2HRB97R6P

ნაწილი საფონდო: 8572

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB2401P

ERA-2HRB2401P

ნაწილი საფონდო: 8373

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1330P

ERA-2HRC1330P

ნაწილი საფონდო: 8628

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB6650P

ERA-2HRB6650P

ნაწილი საფონდო: 8555

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC8450P

ERA-2HEC8450P

ნაწილი საფონდო: 7990

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC5230P

ERA-2HRC5230P

ნაწილი საფონდო: 8929

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB6801P

ERA-2HRB6801P

ნაწილი საფონდო: 8500

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD16R9P

ERA-2HKD16R9P

ნაწილი საფონდო: 8118

წინააღმდეგობა: 16.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1471V

ERA-3EEB1471V

ნაწილი საფონდო: 9087

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC3001P

ERA-2HRC3001P

ნაწილი საფონდო: 8848

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC5361P

ERA-2HRC5361P

ნაწილი საფონდო: 8942

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC3901P

ERA-2HRC3901P

ნაწილი საფონდო: 8839

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი