ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-2HRC4990P

ERA-2HRC4990P

ნაწილი საფონდო: 8926

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB9100P

ERA-2HRB9100P

ნაწილი საფონდო: 8596

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB2492V

ERA-3EEB2492V

ნაწილი საფონდო: 9267

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB3741P

ERA-2HRB3741P

ნაწილი საფონდო: 8472

წინააღმდეგობა: 3.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1691P

ERA-2HRB1691P

ნაწილი საფონდო: 8321

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC8201P

ERA-2HRC8201P

ნაწილი საფონდო: 9030

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB2050P

ERA-2HRB2050P

ნაწილი საფონდო: 8329

წინააღმდეგობა: 205 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1472V

ERA-3EEB1472V

ნაწილი საფონდო: 9130

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1542P

ERA-2HRB1542P

ნაწილი საფონდო: 8297

წინააღმდეგობა: 15.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD29R4P

ERA-2HHD29R4P

ნაწილი საფონდო: 8077

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD24R9P

ERA-2HHD24R9P

ნაწილი საფონდო: 8024

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB3000V

ERA-3EEB3000V

ნაწილი საფონდო: 9292

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB2260V

ERA-3EEB2260V

ნაწილი საფონდო: 9206

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC4640P

ERA-2HRC4640P

ნაწილი საფონდო: 8873

წინააღმდეგობა: 464 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD20R0P

ERA-2HKD20R0P

ნაწილი საფონდო: 8194

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1272P

ERA-2HRC1272P

ნაწილი საფონდო: 8687

წინააღმდეგობა: 12.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD24R0P

ERA-2HHD24R0P

ნაწილი საფონდო: 8059

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC9761P

ERA-2HRC9761P

ნაწილი საფონდო: 9033

წინააღმდეგობა: 9.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD27R4X

ERA-2HHD27R4X

ნაწილი საფონდო: 192242

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB2430P

ERA-2HRB2430P

ნაწილი საფონდო: 2907

წინააღმდეგობა: 243 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC5360P

ERA-2HRC5360P

ნაწილი საფონდო: 8899

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB2942V

ERA-3EEB2942V

ნაწილი საფონდო: 9305

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC2151P

ERA-2HRC2151P

ნაწილი საფონდო: 8800

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB4420P

ERA-2HRB4420P

ნაწილი საფონდო: 8407

წინააღმდეგობა: 442 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB3400V

ERA-3EEB3400V

ნაწილი საფონდო: 9287

წინააღმდეგობა: 340 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD28R7P

ERA-2HHD28R7P

ნაწილი საფონდო: 8052

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1912P

ERA-2HRB1912P

ნაწილი საფონდო: 8372

წინააღმდეგობა: 19.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1331P

ERA-2HRC1331P

ნაწილი საფონდო: 8660

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1602V

ERA-3EEB1602V

ნაწილი საფონდო: 9124

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB3092V

ERA-3EEB3092V

ნაწილი საფონდო: 9315

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC3010P

ERA-2HRC3010P

ნაწილი საფონდო: 8818

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1912V

ERA-3EEB1912V

ნაწილი საფონდო: 9185

წინააღმდეგობა: 19.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC6200P

ERA-2HRC6200P

ნაწილი საფონდო: 8926

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB2201P

ERA-2HRB2201P

ნაწილი საფონდო: 8318

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB95R3P

ERA-2HRB95R3P

ნაწილი საფონდო: 8632

წინააღმდეგობა: 95.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC75R0P

ERA-2HRC75R0P

ნაწილი საფონდო: 8973

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი