ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-3EEB1271V

ERA-3EEB1271V

ნაწილი საფონდო: 9098

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1780V

ERA-3EEB1780V

ნაწილი საფონდო: 9187

წინააღმდეგობა: 178 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD14R0P

ERA-2HKD14R0P

ნაწილი საფონდო: 8148

წინააღმდეგობა: 14 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD22R6P

ERA-2HHD22R6P

ნაწილი საფონდო: 8002

წინააღმდეგობა: 22.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB3161V

ERA-3EEB3161V

ნაწილი საფონდო: 2982

წინააღმდეგობა: 3.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC53R6P

ERA-2HRC53R6P

ნაწილი საფონდო: 2927

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1582P

ERA-2HRB1582P

ნაწილი საფონდო: 8287

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB2260P

ERA-2HRB2260P

ნაწილი საფონდო: 2880

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC9101P

ERA-2HRC9101P

ნაწილი საფონდო: 8969

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB3901P

ERA-2HRB3901P

ნაწილი საფონდო: 8475

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1781X

ERA-2HEC1781X

ნაწილი საფონდო: 175218

წინააღმდეგობა: 1.78 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1800P

ERA-2HRC1800P

ნაწილი საფონდო: 8711

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD14R7P

ERA-2HKD14R7P

ნაწილი საფონდო: 8121

წინააღმდეგობა: 14.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HKD18R2P

ERA-2HKD18R2P

ნაწილი საფონდო: 2858

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB4020P

ERA-2HRB4020P

ნაწილი საფონდო: 8420

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB4751P

ERA-2HRB4751P

ნაწილი საფონდო: 8486

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB6651P

ERA-2HRB6651P

ნაწილი საფონდო: 2861

წინააღმდეგობა: 6.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC9100P

ERA-2HRC9100P

ნაწილი საფონდო: 8987

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1802V

ERA-3EEB1802V

ნაწილი საფონდო: 9170

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1871V

ERA-3EEB1871V

ნაწილი საფონდო: 9141

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC8450P

ERA-2HRC8450P

ნაწილი საფონდო: 8973

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1601P

ERA-2HRB1601P

ნაწილი საფონდო: 8255

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC2400P

ERA-2HRC2400P

ნაწილი საფონდო: 8807

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC82R0P

ERA-2HRC82R0P

ნაწილი საფონდო: 8969

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1001V

ERA-3EEB1001V

ნაწილი საფონდო: 9007

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB7681P

ERA-2HRB7681P

ნაწილი საფონდო: 8595

წინააღმდეგობა: 7.68 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1052P

ERA-2HRB1052P

ნაწილი საფონდო: 8158

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC8871P

ERA-2HRC8871P

ნაწილი საფონდო: 7316

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB3651P

ERA-2HRB3651P

ნაწილი საფონდო: 8436

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB7871P

ERA-2HRB7871P

ნაწილი საფონდო: 8563

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC6811P

ERA-2HRC6811P

ნაწილი საფონდო: 9006

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC2940P

ERA-2HRC2940P

ნაწილი საფონდო: 8800

წინააღმდეგობა: 294 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB5490P

ERA-2HRB5490P

ნაწილი საფონდო: 8521

წინააღმდეგობა: 549 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB91R0P

ERA-2HRB91R0P

ნაწილი საფონდო: 8608

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1210P

ERA-2HRC1210P

ნაწილი საფონდო: 8692

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB8061P

ERA-2HRB8061P

ნაწილი საფონდო: 8611

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი