ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-3EEB2402V

ERA-3EEB2402V

ნაწილი საფონდო: 9265

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1020P

ERA-2HRC1020P

ნაწილი საფონდო: 8611

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC4750P

ERA-2HRC4750P

ნაწილი საფონდო: 8899

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD22R1P

ERA-2HHD22R1P

ნაწილი საფონდო: 7992

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC2100P

ERA-2HRC2100P

ნაწილი საფონდო: 8734

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB2940V

ERA-3EEB2940V

ნაწილი საფონდო: 9305

წინააღმდეგობა: 294 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB2941V

ERA-3EEB2941V

ნაწილი საფონდო: 9289

წინააღმდეგობა: 2.94 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1820V

ERA-3EEB1820V

ნაწილი საფონდო: 9196

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC91R0P

ERA-2HRC91R0P

ნაწილი საფონდო: 9011

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC3830P

ERA-2HRC3830P

ნაწილი საფონდო: 2941

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1180P

ERA-2HRB1180P

ნაწილი საფონდო: 8239

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB2551V

ERA-3EEB2551V

ნაწილი საფონდო: 9223

წინააღმდეგობა: 2.55 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1132P

ERA-2HRB1132P

ნაწილი საფონდო: 8166

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB2051V

ERA-3EEB2051V

ნაწილი საფონდო: 9180

წინააღმდეგობა: 2.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB6200P

ERA-2HRB6200P

ნაწილი საფონდო: 8496

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1801V

ERA-3EEB1801V

ნაწილი საფონდო: 2895

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC2550P

ERA-2HRC2550P

ნაწილი საფონდო: 8807

წინააღმდეგობა: 255 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1960P

ERA-2HRB1960P

ნაწილი საფონდო: 8287

წინააღმდეგობა: 196 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC71R5P

ERA-2HRC71R5P

ნაწილი საფონდო: 8979

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC47R5P

ERA-2HRC47R5P

ნაწილი საფონდო: 8921

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC4421P

ERA-2HRC4421P

ნაწილი საფონდო: 8874

წინააღმდეგობა: 4.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC6340P

ERA-2HRC6340P

ნაწილი საფონდო: 8936

წინააღმდეგობა: 634 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB3241V

ERA-3EEB3241V

ნაწილი საფონდო: 9272

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1071P

ERA-2HRB1071P

ნაწილი საფონდო: 8196

წინააღმდეგობა: 1.07 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC47R0P

ERA-2HRC47R0P

ნაწილი საფონდო: 8919

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1581P

ERA-2HRB1581P

ნაწილი საფონდო: 8243

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1721V

ERA-3EEB1721V

ნაწილი საფონდო: 9105

წინააღმდეგობა: 1.72 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB56R0P

ERA-2HRB56R0P

ნაწილი საფონდო: 8454

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1580P

ERA-2HRB1580P

ნაწილი საფონდო: 8249

წინააღმდეგობა: 158 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC5621P

ERA-2HRC5621P

ნაწილი საფონდო: 8965

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB1372V

ERA-3EEB1372V

ნაწილი საფონდო: 9087

წინააღმდეგობა: 13.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD43R0P

ERA-2HHD43R0P

ნაწილი საფონდო: 8093

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC1101P

ERA-2HRC1101P

ნაწილი საფონდო: 8628

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB4751V

ERA-6EEB4751V

ნაწილი საფონდო: 8257

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRB1651P

ERA-2HRB1651P

ნაწილი საფონდო: 8304

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC8870P

ERA-2HEC8870P

ნაწილი საფონდო: 7961

წინააღმდეგობა: 887 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი