ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-14EB102U

ERA-14EB102U

ნაწილი საფონდო: 117739

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP4MF22MU

ERJ-MP4MF22MU

ნაწილი საფონდო: 116311

წინააღმდეგობა: 22 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB133U

ERA-14EB133U

ნაწილი საფონდო: 195994

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP3KF33MU

ERJ-MP3KF33MU

ნაწილი საფონდო: 160588

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP3KF3M0U

ERJ-MP3KF3M0U

ნაწილი საფონდო: 185622

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ470Y

ERJ-XGEJ470Y

ნაწილი საფონდო: 4442

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ222Y

ERJ-XGEJ222Y

ნაწილი საფონდო: 4026

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ221Y

ERJ-XGEJ221Y

ნაწილი საფონდო: 4031

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ472Y

ERJ-XGEJ472Y

ნაწილი საფონდო: 4090

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ153Y

ERJ-XGEJ153Y

ნაწილი საფონდო: 4125

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB104U

ERA-14EB104U

ნაწილი საფონდო: 116562

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ332Y

ERJ-XGEJ332Y

ნაწილი საფონდო: 4086

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERA-14EB153U

ERA-14EB153U

ნაწილი საფონდო: 180132

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ105Y

ERJ-XGEJ105Y

ნაწილი საფონდო: 4449

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ330Y

ERJ-XGEJ330Y

ნაწილი საფონდო: 4058

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB182V

ERA-6YEB182V

ნაწილი საფონდო: 137985

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ474Y

ERJ-XGEJ474Y

ნაწილი საფონდო: 4099

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ684Y

ERJ-XGEJ684Y

ნაწილი საფონდო: 4459

წინააღმდეგობა: 680 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ100Y

ERJ-XGEJ100Y

ნაწილი საფონდო: 4094

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ473Y

ERJ-XGEJ473Y

ნაწილი საფონდო: 4117

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ104Y

ERJ-XGEJ104Y

ნაწილი საფონდო: 4094

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ331Y

ERJ-XGEJ331Y

ნაწილი საფონდო: 4106

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ471Y

ERJ-XGEJ471Y

ნაწილი საფონდო: 4013

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ103Y

ERJ-XGEJ103Y

ნაწილი საფონდო: 4097

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ152Y

ERJ-XGEJ152Y

ნაწილი საფონდო: 4029

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ223Y

ERJ-XGEJ223Y

ნაწილი საფონდო: 4036

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ681Y

ERJ-XGEJ681Y

ნაწილი საფონდო: 4466

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ150Y

ERJ-XGEJ150Y

ნაწილი საფონდო: 4005

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ334Y

ERJ-XGEJ334Y

ნაწილი საფონდო: 4094

წინააღმდეგობა: 330 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ333Y

ERJ-XGEJ333Y

ნაწილი საფონდო: 4044

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ101Y

ERJ-XGEJ101Y

ნაწილი საფონდო: 4031

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ682Y

ERJ-XGEJ682Y

ნაწილი საფონდო: 4475

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ151Y

ERJ-XGEJ151Y

ნაწილი საფონდო: 4014

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERJ-XGEJ102Y

ERJ-XGEJ102Y

ნაწილი საფონდო: 4070

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.03W, 1/32W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ERA-14HD560U

ERA-14HD560U

ნაწილი საფონდო: 127510

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP4MF47MU

ERJ-MP4MF47MU

ნაწილი საფონდო: 3481

წინააღმდეგობა: 47 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი