კონდენსატორების ქსელები, მასივები

ECJ-TVC1H221K

ECJ-TVC1H221K

ნაწილი საფონდო: 3640

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
EZA-SCE101M

EZA-SCE101M

ნაწილი საფონდო: 488

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
ECJ-RVB1H472M

ECJ-RVB1H472M

ნაწილი საფონდო: 1290

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVC1H100F

ECJ-RVC1H100F

ნაწილი საფონდო: 573

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-TVB1C103M

ECJ-TVB1C103M

ნაწილი საფონდო: 2950

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVB1H102M

ECJ-RVB1H102M

ნაწილი საფონდო: 2017

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-UVBPJ225M

ECJ-UVBPJ225M

ნაწილი საფონდო: 7746

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVB1H681M

ECJ-RVB1H681M

ნაწილი საფონდო: 1922

ტევადობა: 680pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVC1H121K

ECJ-RVC1H121K

ნაწილი საფონდო: 1253

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVF1A105Z

ECJ-RVF1A105Z

ნაწილი საფონდო: 1358

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVB1H682M

ECJ-RVB1H682M

ნაწილი საფონდო: 2447

ტევადობა: 6800pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVB1H152M

ECJ-RVB1H152M

ნაწილი საფონდო: 2072

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVC1H150K

ECJ-RVC1H150K

ნაწილი საფონდო: 7972

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-TVB0J105M

ECJ-TVB0J105M

ნაწილი საფონდო: 7739

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVB1C104M

ECJ-RVB1C104M

ნაწილი საფონდო: 1317

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-UVB1C105M

ECJ-UVB1C105M

ნაწილი საფონდო: 3923

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-TVB1E472M

ECJ-TVB1E472M

ნაწილი საფონდო: 3085

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
EZA-SCE470M

EZA-SCE470M

ნაწილი საფონდო: 445

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
ECJ-RVB1H331M

ECJ-RVB1H331M

ნაწილი საფონდო: 9387

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
EZA-NPE470M

EZA-NPE470M

ნაწილი საფონდო: 100853

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 8, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
ECJ-UVC1H100F

ECJ-UVC1H100F

ნაწილი საფონდო: 2219

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-TVB1H222M

ECJ-TVB1H222M

ნაწილი საფონდო: 163650

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
EZA-SCE220M

EZA-SCE220M

ნაწილი საფონდო: 297

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Bussed,

სასურველი
ECJ-RVC1H180K

ECJ-RVC1H180K

ნაწილი საფონდო: 175169

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-UVB0J105M

ECJ-UVB0J105M

ნაწილი საფონდო: 194260

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-RVC1H120K

ECJ-RVC1H120K

ნაწილი საფონდო: 153957

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-UVC1H101K

ECJ-UVC1H101K

ნაწილი საფონდო: 104228

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-UVC1H470K

ECJ-UVC1H470K

ნაწილი საფონდო: 153618

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-UVBPJ105M

ECJ-UVBPJ105M

ნაწილი საფონდო: 118147

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 2, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი
ECJ-TVC1H100F

ECJ-TVC1H100F

ნაწილი საფონდო: 129310

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, დიელექტრიკული მასალა: Ceramic, კონდენსატორების რაოდენობა: 4, სქემის ტიპი: Isolated,

სასურველი