ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას

DMC961030R

DMC961030R

ნაწილი საფონდო: 139815

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XP0411400L

XP0411400L

ნაწილი საფონდო: 1426

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XN0111F00L

XN0111F00L

ნაწილი საფონდო: 114699

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMC261000R

DMC261000R

ნაწილი საფონდო: 166517

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XN0411400L

XN0411400L

ნაწილი საფონდო: 1443

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMG564030R

DMG564030R

ნაწილი საფონდო: 192107

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XP0411100L

XP0411100L

ნაწილი საფონდო: 1416

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XP0121600L

XP0121600L

ნაწილი საფონდო: 1464

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XN0111900L

XN0111900L

ნაწილი საფონდო: 1404

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

სასურველი
UP0411100L

UP0411100L

ნაწილი საფონდო: 3148

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMC264040R

DMC264040R

ნაწილი საფონდო: 141479

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMA261000R

DMA261000R

ნაწილი საფონდო: 148621

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMA9640T0R

DMA9640T0R

ნაწილი საფონდო: 175874

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
UP0339600L

UP0339600L

ნაწილი საფონდო: 1437

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XP0111500L

XP0111500L

ნაწილი საფონდო: 1428

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XN0111500L

XN0111500L

ნაწილი საფონდო: 1434

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სასურველი
UP03390G0L

UP03390G0L

ნაწილი საფონდო: 108866

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMC264020R

DMC264020R

ნაწილი საფონდო: 193666

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სასურველი
UP04112G0L

UP04112G0L

ნაწილი საფონდო: 117447

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMA261050R

DMA261050R

ნაწილი საფონდო: 183207

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XP0621100L

XP0621100L

ნაწილი საფონდო: 1387

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XN0F26300L

XN0F26300L

ნაწილი საფონდო: 183761

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 270 Ohms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

სასურველი
XP0621300L

XP0621300L

ნაწილი საფონდო: 131306

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XN04A8800L

XN04A8800L

ნაწილი საფონდო: 1476

ტრანზისტორის ტიპი: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 150 @ 2mA, 10V,

სასურველი
UP04113G0L

UP04113G0L

ნაწილი საფონდო: 1404

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMA5640M0R

DMA5640M0R

ნაწილი საფონდო: 148059

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMA264010R

DMA264010R

ნაწილი საფონდო: 199994

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სასურველი
UP0421100L

UP0421100L

ნაწილი საფონდო: 1444

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XN0411100L

XN0411100L

ნაწილი საფონდო: 1396

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XN0431400L

XN0431400L

ნაწილი საფონდო: 1480

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XP0421200L

XP0421200L

ნაწილი საფონდო: 1468

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XP0331100L

XP0331100L

ნაწილი საფონდო: 1445

ტრანზისტორის ტიპი: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMC561000R

DMC561000R

ნაწილი საფონდო: 148912

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMC2640F0R

DMC2640F0R

ნაწილი საფონდო: 169077

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

სასურველი
XN0421400L

XN0421400L

ნაწილი საფონდო: 1593

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი
DMC261030R

DMC261030R

ნაწილი საფონდო: 165183

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი