Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
NSVBC858CLT1G
ON Semiconductor

NSVBC858CLT1G

ნაწილი საფონდო: 178054

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
KSA1010OTU
ON Semiconductor

KSA1010OTU

ნაწილი საფონდო: 6097

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 5V,

სასურველი
MPSA06_D27Z
ON Semiconductor

MPSA06_D27Z

ნაწილი საფონდო: 6509

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
MPSA43ZL1G
ON Semiconductor

MPSA43ZL1G

ნაწილი საფონდო: 6728

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 200V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

სასურველი
FJPF5021RTSTU
ON Semiconductor

FJPF5021RTSTU

ნაწილი საფონდო: 6095

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 500V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

სასურველი
MSD1328-ST1G
ON Semiconductor

MSD1328-ST1G

ნაწილი საფონდო: 6464

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

სასურველი
MPSA55G
ON Semiconductor

MPSA55G

ნაწილი საფონდო: 6382

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
MPSA44RLRAG
ON Semiconductor

MPSA44RLRAG

ნაწილი საფონდო: 6109

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V,

სასურველი
TIP140TU
ON Semiconductor

TIP140TU

ნაწილი საფონდო: 6147

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

სასურველი
MPSA92_D27Z
ON Semiconductor

MPSA92_D27Z

ნაწილი საფონდო: 6517

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 250nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

სასურველი
MPS8098_D27Z
ON Semiconductor

MPS8098_D27Z

ნაწილი საფონდო: 6483

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი
MMBTA20LT1G
ON Semiconductor

MMBTA20LT1G

ნაწილი საფონდო: 6366

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

სასურველი
FJP5021OVTU
ON Semiconductor

FJP5021OVTU

ნაწილი საფონდო: 6684

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 500V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

სასურველი
MMBTA56_D87Z
ON Semiconductor

MMBTA56_D87Z

ნაწილი საფონდო: 6454

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
MJ11022
ON Semiconductor

MJ11022

ნაწილი საფონდო: 6332

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

სასურველი
MJ11030G
ON Semiconductor

MJ11030G

ნაწილი საფონდო: 6380

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 90V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V,

სასურველი
NSS20501UW3TBG
ON Semiconductor

NSS20501UW3TBG

ნაწილი საფონდო: 111556

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 125mV @ 400mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

სასურველი
MPSA92_D75Z
ON Semiconductor

MPSA92_D75Z

ნაწილი საფონდო: 6549

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 250nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

სასურველი
NSS40601CF8T1G
ON Semiconductor

NSS40601CF8T1G

ნაწილი საფონდო: 118178

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

სასურველი
MSB710-RT1
ON Semiconductor

MSB710-RT1

ნაწილი საფონდო: 6452

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

სასურველი
MPSA12G
ON Semiconductor

MPSA12G

ნაწილი საფონდო: 6457

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

სასურველი
MPS3702_D27Z
ON Semiconductor

MPS3702_D27Z

ნაწილი საფონდო: 6486

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

სასურველი
FJP5027R
ON Semiconductor

FJP5027R

ნაწილი საფონდო: 6125

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 800V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V,

სასურველი
MPSW55G
ON Semiconductor

MPSW55G

ნაწილი საფონდო: 6403

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

სასურველი
MPSA20_D27Z
ON Semiconductor

MPSA20_D27Z

ნაწილი საფონდო: 6513

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

სასურველი
MPSW45RLRE
ON Semiconductor

MPSW45RLRE

ნაწილი საფონდო: 6440

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V,

სასურველი
TIP106
ON Semiconductor

TIP106

ნაწილი საფონდო: 6478

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

სასურველი
FJP5304D
ON Semiconductor

FJP5304D

ნაწილი საფონდო: 6073

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 250mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

სასურველი
KSE13003H3ASTU
ON Semiconductor

KSE13003H3ASTU

ნაწილი საფონდო: 6497

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 19 @ 500mA, 2V,

სასურველი
FJP13007H1TU
ON Semiconductor

FJP13007H1TU

ნაწილი საფონდო: 90440

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V,

სასურველი
MPSA12
ON Semiconductor

MPSA12

ნაწილი საფონდო: 6443

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

სასურველი
MMBT6520LT3
ON Semiconductor

MMBT6520LT3

ნაწილი საფონდო: 6425

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

სასურველი
MPSA93_D74Z
ON Semiconductor

MPSA93_D74Z

ნაწილი საფონდო: 6510

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 200V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 250nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

სასურველი
MPSA13_D26Z
ON Semiconductor

MPSA13_D26Z

ნაწილი საფონდო: 6551

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

სასურველი
MPS6729
ON Semiconductor

MPS6729

ნაწილი საფონდო: 6391

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

სასურველი
MPS2907AZL1
ON Semiconductor

MPS2907AZL1

ნაწილი საფონდო: 6403

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი