Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
2N5550G
ON Semiconductor

2N5550G

ნაწილი საფონდო: 6638

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 140V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2N5194G
ON Semiconductor

2N5194G

ნაწილი საფონდო: 100318

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V,

სასურველი
2N5088G
ON Semiconductor

2N5088G

ნაწილი საფონდო: 5577

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

სასურველი
2N5089G
ON Semiconductor

2N5089G

ნაწილი საფონდო: 5598

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

სასურველი
2N4124G
ON Semiconductor

2N4124G

ნაწილი საფონდო: 6622

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

სასურველი
2N6520RLRAG
ON Semiconductor

2N6520RLRAG

ნაწილი საფონდო: 5643

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

სასურველი
2N5551RLRAG
ON Semiconductor

2N5551RLRAG

ნაწილი საფონდო: 5569

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2N5087RLRAG
ON Semiconductor

2N5087RLRAG

ნაწილი საფონდო: 5605

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

სასურველი
2N5401RLRAG
ON Semiconductor

2N5401RLRAG

ნაწილი საფონდო: 5607

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2N4401RLRAG
ON Semiconductor

2N4401RLRAG

ნაწილი საფონდო: 5597

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სასურველი
2N3906RLRAG
ON Semiconductor

2N3906RLRAG

ნაწილი საფონდო: 5577

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სასურველი
2N3904RLRAG
ON Semiconductor

2N3904RLRAG

ნაწილი საფონდო: 6574

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სასურველი
2SC4081RT1
ON Semiconductor

2SC4081RT1

ნაწილი საფონდო: 5558

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

სასურველი
2SA1576ART1
ON Semiconductor

2SA1576ART1

ნაწილი საფონდო: 5597

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

სასურველი
2SA1774T1
ON Semiconductor

2SA1774T1

ნაწილი საფონდო: 5604

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500pA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სასურველი
2N5550
ON Semiconductor

2N5550

ნაწილი საფონდო: 5531

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 140V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2N6520RLRA
ON Semiconductor

2N6520RLRA

ნაწილი საფონდო: 5490

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

სასურველი
2N5087RLRA
ON Semiconductor

2N5087RLRA

ნაწილი საფონდო: 5561

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

სასურველი
2N5551RLRA
ON Semiconductor

2N5551RLRA

ნაწილი საფონდო: 5554

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2N5401RLRA
ON Semiconductor

2N5401RLRA

ნაწილი საფონდო: 5547

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სასურველი
2N4403RLRA
ON Semiconductor

2N4403RLRA

ნაწილი საფონდო: 5546

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

სასურველი
2N4401RLRA
ON Semiconductor

2N4401RLRA

ნაწილი საფონდო: 5522

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სასურველი
2N3906RLRA
ON Semiconductor

2N3906RLRA

ნაწილი საფონდო: 5561

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სასურველი
2N3904RLRA
ON Semiconductor

2N3904RLRA

ნაწილი საფონდო: 5504

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სასურველი
2N6497
ON Semiconductor

2N6497

ნაწილი საფონდო: 5538

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 5A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 10V,

სასურველი
2N6667
ON Semiconductor

2N6667

ნაწილი საფონდო: 6592

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V,

სასურველი
2N6292
ON Semiconductor

2N6292

ნაწილი საფონდო: 5516

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V,

სასურველი
2N6043
ON Semiconductor

2N6043

ნაწილი საფონდო: 5483

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

სასურველი
2N6045
ON Semiconductor

2N6045

ნაწილი საფონდო: 5562

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

სასურველი
2N6042
ON Semiconductor

2N6042

ნაწილი საფონდო: 5556

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

სასურველი
2N6034
ON Semiconductor

2N6034

ნაწილი საფონდო: 5560

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

სასურველი
2N6040
ON Semiconductor

2N6040

ნაწილი საფონდო: 5564

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

სასურველი
2N6038
ON Semiconductor

2N6038

ნაწილი საფონდო: 5505

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

სასურველი
2N5655
ON Semiconductor

2N5655

ნაწილი საფონდო: 5506

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV,

სასურველი
2N6517
ON Semiconductor

2N6517

ნაწილი საფონდო: 5502

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

სასურველი
2N4921
ON Semiconductor

2N4921

ნაწილი საფონდო: 5501

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V,

სასურველი