Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
15C01C-TB-E
ON Semiconductor

15C01C-TB-E

ნაწილი საფონდო: 132125

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 700mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი
12A02CH-TL-E
ON Semiconductor

12A02CH-TL-E

ნაწილი საფონდო: 166577

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 12V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი
15C02MH-TL-E
ON Semiconductor

15C02MH-TL-E

ნაწილი საფონდო: 190997

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

სასურველი
12A02MH-TL-E
ON Semiconductor

12A02MH-TL-E

ნაწილი საფონდო: 102598

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 12V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი
15C02CH-TL-E
ON Semiconductor

15C02CH-TL-E

ნაწილი საფონდო: 144964

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

სასურველი
15C01SS-TL-E
ON Semiconductor

15C01SS-TL-E

ნაწილი საფონდო: 155356

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი
15C01M-TL-E
ON Semiconductor

15C01M-TL-E

ნაწილი საფონდო: 140846

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 700mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

სასურველი
2N5038G
ON Semiconductor

2N5038G

ნაწილი საფონდო: 7620

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 90V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V,

სასურველი
2N6341G
ON Semiconductor

2N6341G

ნაწილი საფონდო: 6139

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V,

სასურველი
2N5684G
ON Semiconductor

2N5684G

ნაწილი საფონდო: 7987

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V,

სასურველი
2SB1202T-E
ON Semiconductor

2SB1202T-E

ნაწილი საფონდო: 150433

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სასურველი
2SB817C-1E
ON Semiconductor

2SB817C-1E

ნაწილი საფონდო: 24451

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 12A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 140V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

სასურველი
2N5883G
ON Semiconductor

2N5883G

ნაწილი საფონდო: 17760

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

სასურველი
2SC5658M3T5G
ON Semiconductor

2SC5658M3T5G

ნაწილი საფონდო: 165547

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სასურველი
2SC5706-TL-E
ON Semiconductor

2SC5706-TL-E

ნაწილი საფონდო: 193807

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სასურველი
2SB815-7-TB-E
ON Semiconductor

2SB815-7-TB-E

ნაწილი საფონდო: 148429

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 700mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

სასურველი
2N4403TF
ON Semiconductor

2N4403TF

ნაწილი საფონდო: 165392

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

სასურველი
2SD1623S-TD-E
ON Semiconductor

2SD1623S-TD-E

ნაწილი საფონდო: 167700

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

სასურველი
2SC3646S-TD-E
ON Semiconductor

2SC3646S-TD-E

ნაწილი საფონდო: 157334

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SC4027S-TL-H
ON Semiconductor

2SC4027S-TL-H

ნაწილი საფონდო: 134234

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1417S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1417S-TD-E

ნაწილი საფონდო: 124066

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SC3647S-TD-E
ON Semiconductor

2SC3647S-TD-E

ნაწილი საფონდო: 188767

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SC4027S-TL-E
ON Semiconductor

2SC4027S-TL-E

ნაწილი საფონდო: 130800

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SC3649S-TD-E
ON Semiconductor

2SC3649S-TD-E

ნაწილი საფონდო: 144860

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SD1815S-TL-E
ON Semiconductor

2SD1815S-TL-E

ნაწილი საფონდო: 193808

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V,

სასურველი
2SA2125-TD-E
ON Semiconductor

2SA2125-TD-E

ნაწილი საფონდო: 140184

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სასურველი
2SA1418S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1418S-TD-E

ნაწილი საფონდო: 180384

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 700mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SA1419S-TD-E
ON Semiconductor

2SA1419S-TD-E

ნაწილი საფონდო: 105790

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სასურველი
2SB1302T-TD-E
ON Semiconductor

2SB1302T-TD-E

ნაწილი საფონდო: 188214

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

სასურველი
2SA2040-TL-E
ON Semiconductor

2SA2040-TL-E

ნაწილი საფონდო: 158771

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სასურველი
2SC5707-TL-E
ON Semiconductor

2SC5707-TL-E

ნაწილი საფონდო: 197938

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სასურველი
2N6517BU
ON Semiconductor

2N6517BU

ნაწილი საფონდო: 183752

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

სასურველი
2N3772G
ON Semiconductor

2N3772G

ნაწილი საფონდო: 16915

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V,

სასურველი
2N5886G
ON Semiconductor

2N5886G

ნაწილი საფონდო: 18765

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 6.25A, 25A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

სასურველი
2N6292G
ON Semiconductor

2N6292G

ნაწილი საფონდო: 79680

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 70V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V,

სასურველი
2SA2039-H
ON Semiconductor

2SA2039-H

ნაწილი საფონდო: 170409

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 430mV @ 100mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სასურველი