Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

იზოლატორები - კარიბჭის დრაივერები

  • სახლი
  •  
  • იზოლატორები - კარიბჭის დრაივერები
FOD3120V
ON Semiconductor

FOD3120V

ნაწილი საფონდო: 25063

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სასურველი
FOD3150V
ON Semiconductor

FOD3150V

ნაწილი საფონდო: 91368

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სასურველი
FOD3180SV
ON Semiconductor

FOD3180SV

ნაწილი საფონდო: 66655

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 15kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 200ns, 200ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3184SD
ON Semiconductor

FOD3184SD

ნაწილი საფონდო: 76087

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3182TV
ON Semiconductor

FOD3182TV

ნაწილი საფონდო: 76154

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3150SD
ON Semiconductor

FOD3150SD

ნაწილი საფონდო: 91410

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სასურველი
FOD3150TSV
ON Semiconductor

FOD3150TSV

ნაწილი საფონდო: 83161

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სასურველი
FOD3184SV
ON Semiconductor

FOD3184SV

ნაწილი საფონდო: 76131

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3150
ON Semiconductor

FOD3150

ნაწილი საფონდო: 43635

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სასურველი
FOD3182SD
ON Semiconductor

FOD3182SD

ნაწილი საფონდო: 76157

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD8314R2
ON Semiconductor

FOD8314R2

ნაწილი საფონდო: 86873

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სასურველი
FOD3120SV
ON Semiconductor

FOD3120SV

ნაწილი საფონდო: 83553

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სასურველი
FOD3182TSR2V
ON Semiconductor

FOD3182TSR2V

ნაწილი საფონდო: 65411

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3184TSV
ON Semiconductor

FOD3184TSV

ნაწილი საფონდო: 76136

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3120SD
ON Semiconductor

FOD3120SD

ნაწილი საფონდო: 86484

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სასურველი
FOD3120S
ON Semiconductor

FOD3120S

ნაწილი საფონდო: 89710

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სასურველი
FOD3120TSR2V
ON Semiconductor

FOD3120TSR2V

ნაწილი საფონდო: 51460

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სასურველი
FOD3184V
ON Semiconductor

FOD3184V

ნაწილი საფონდო: 76102

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3120TSV
ON Semiconductor

FOD3120TSV

ნაწილი საფონდო: 63734

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სასურველი
FOD3180TSV
ON Semiconductor

FOD3180TSV

ნაწილი საფონდო: 35567

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 15kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 200ns, 200ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3182SDV
ON Semiconductor

FOD3182SDV

ნაწილი საფონდო: 76090

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD8314TR2
ON Semiconductor

FOD8314TR2

ნაწილი საფონდო: 86875

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სასურველი
FOD3184TV
ON Semiconductor

FOD3184TV

ნაწილი საფონდო: 76152

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3184S
ON Semiconductor

FOD3184S

ნაწილი საფონდო: 29959

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD8342T
ON Semiconductor

FOD8342T

ნაწილი საფონდო: 52109

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD8314
ON Semiconductor

FOD8314

ნაწილი საფონდო: 97384

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სასურველი
FOD3180
ON Semiconductor

FOD3180

ნაწილი საფონდო: 23842

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 15kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 200ns, 200ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3180S
ON Semiconductor

FOD3180S

ნაწილი საფონდო: 26235

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 15kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 200ns, 200ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD8342
ON Semiconductor

FOD8342

ნაწილი საფონდო: 51777

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3120TV
ON Semiconductor

FOD3120TV

ნაწილი საფონდო: 24996

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 400ns, 400ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 100ns,

სასურველი
FOD3182
ON Semiconductor

FOD3182

ნაწილი საფონდო: 29898

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD8343
ON Semiconductor

FOD8343

ნაწილი საფონდო: 8662

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 50kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD8314T
ON Semiconductor

FOD8314T

ნაწილი საფონდო: 97354

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 500ns, 500ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 300ns,

სასურველი
FOD8343T
ON Semiconductor

FOD8343T

ნაწილი საფონდო: 8639

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 50kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3182S
ON Semiconductor

FOD3182S

ნაწილი საფონდო: 29933

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 210ns, 210ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი
FOD3180SD
ON Semiconductor

FOD3180SD

ნაწილი საფონდო: 60564

ტექნოლოგია: Optical Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 15kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 200ns, 200ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 65ns,

სასურველი