Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
6N138SM
ON Semiconductor

6N138SM

ნაწილი საფონდო: 137836

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 7.3µs,

სასურველი
6N139WV
ON Semiconductor

6N139WV

ნაწილი საფონდო: 5511

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1.5µs, 7µs,

სასურველი
6N135SVM
ON Semiconductor

6N135SVM

ნაწილი საფონდო: 86875

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 230ns, 450ns,

სასურველი
6N139SDV
ON Semiconductor

6N139SDV

ნაწილი საფონდო: 2602

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1.5µs, 7µs,

სასურველი
6N135SM
ON Semiconductor

6N135SM

ნაწილი საფონდო: 114865

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 230ns, 450ns,

სასურველი
6N136SDV
ON Semiconductor

6N136SDV

ნაწილი საფონდო: 5182

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 500ns,

სასურველი
6N138SDV
ON Semiconductor

6N138SDV

ნაწილი საფონდო: 2523

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1.5µs, 7µs,

სასურველი
6N135SDVM
ON Semiconductor

6N135SDVM

ნაწილი საფონდო: 69

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 230ns, 450ns,

სასურველი
6N136TVM
ON Semiconductor

6N136TVM

ნაწილი საფონდო: 90864

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
6N136SM
ON Semiconductor

6N136SM

ნაწილი საფონდო: 40316

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
6N136TSR2VM
ON Semiconductor

6N136TSR2VM

ნაწილი საფონდო: 83510

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
6N138M
ON Semiconductor

6N138M

ნაწილი საფონდო: 172102

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 7.3µs,

სასურველი
6N138SDM
ON Semiconductor

6N138SDM

ნაწილი საფონდო: 133475

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 7.3µs,

სასურველი
6N136SDVM
ON Semiconductor

6N136SDVM

ნაწილი საფონდო: 137829

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
6N139TVM
ON Semiconductor

6N139TVM

ნაწილი საფონდო: 146741

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 240ns, 1.3µs,

სასურველი
6N136VM
ON Semiconductor

6N136VM

ნაწილი საფონდო: 96122

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
6N136SVM
ON Semiconductor

6N136SVM

ნაწილი საფონდო: 95567

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
6N135VM
ON Semiconductor

6N135VM

ნაწილი საფონდო: 87392

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 230ns, 450ns,

სასურველი
6N135SDM
ON Semiconductor

6N135SDM

ნაწილი საფონდო: 135028

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 230ns, 450ns,

სასურველი
6N136TSVM
ON Semiconductor

6N136TSVM

ნაწილი საფონდო: 114923

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
6N139SVM
ON Semiconductor

6N139SVM

ნაწილი საფონდო: 146772

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 240ns, 1.3µs,

სასურველი
6N139SDVM
ON Semiconductor

6N139SDVM

ნაწილი საფონდო: 137847

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 240ns, 1.3µs,

სასურველი
6N139VM
ON Semiconductor

6N139VM

ნაწილი საფონდო: 137873

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 240ns, 1.3µs,

სასურველი
6N135M
ON Semiconductor

6N135M

ნაწილი საფონდო: 167115

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 230ns, 450ns,

სასურველი
6N136SDM
ON Semiconductor

6N136SDM

ნაწილი საფონდო: 135050

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
6N139SM
ON Semiconductor

6N139SM

ნაწილი საფონდო: 48236

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 240ns, 1.3µs,

სასურველი
6N136M
ON Semiconductor

6N136M

ნაწილი საფონდო: 154598

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
6N139SDM
ON Semiconductor

6N139SDM

ნაწილი საფონდო: 133441

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 240ns, 1.3µs,

სასურველი
MCT2ESD
ON Semiconductor

MCT2ESD

ნაწილი საფონდო: 6007

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1.1µs, 50µs,

სასურველი
H11A817DW
ON Semiconductor

H11A817DW

ნაწილი საფონდო: 5925

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
CNY17F3SVM
ON Semiconductor

CNY17F3SVM

ნაწილი საფონდო: 5957

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
SL5504
ON Semiconductor

SL5504

ნაწილი საფონდო: 6013

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 25% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 50µs, 150µs (Max),

სასურველი
H11D1300
ON Semiconductor

H11D1300

ნაწილი საფონდო: 5936

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
H11G1SD
ON Semiconductor

H11G1SD

ნაწილი საფონდო: 5982

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
H11A617B
ON Semiconductor

H11A617B

ნაწილი საფონდო: 5974

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11AA3300
ON Semiconductor

H11AA3300

ნაწილი საფონდო: 6003

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA,

სასურველი