Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
SMMSD103T1G
ON Semiconductor

SMMSD103T1G

ნაწილი საფონდო: 114256

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 250V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
FFPF20UP30STU
ON Semiconductor

FFPF20UP30STU

ნაწილი საფონდო: 801

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
FFPF15UP20STTU
ON Semiconductor

FFPF15UP20STTU

ნაწილი საფონდო: 842

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 45ns,

სასურველი
NRVB1035G
ON Semiconductor

NRVB1035G

ნაწილი საფონდო: 791

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S3J
ON Semiconductor

S3J

ნაწილი საფონდო: 191296

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სასურველი
FFP04S60STU
ON Semiconductor

FFP04S60STU

ნაწილი საფონდო: 785

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.6V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
NRVB120LSFT1G
ON Semiconductor

NRVB120LSFT1G

ნაწილი საფონდო: 119557

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS33
ON Semiconductor

SS33

ნაწილი საფონდო: 131266

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SS35
ON Semiconductor

SS35

ნაწილი საფონდო: 109183

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFP04H60STU
ON Semiconductor

FFP04H60STU

ნაწილი საფონდო: 802

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 45ns,

სასურველი
MMBD1401_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1401_D87Z

ნაწილი საფონდო: 817

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
SB07-03C-TB-H
ON Semiconductor

SB07-03C-TB-H

ნაწილი საფონდო: 131699

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 10ns,

სასურველი
NSVR351SDSA3T1G
ON Semiconductor

NSVR351SDSA3T1G

ნაწილი საფონდო: 10000

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 230mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
MBRS130L
ON Semiconductor

MBRS130L

ნაწილი საფონდო: 177299

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 445mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MMBD6050
ON Semiconductor

MMBD6050

ნაწილი საფონდო: 177582

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 70V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი
NRVBM120ET1G
ON Semiconductor

NRVBM120ET1G

ნაწილი საფონდო: 160974

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 595mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MMBD914_D87Z
ON Semiconductor

MMBD914_D87Z

ნაწილი საფონდო: 834

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი
FYP0545STU
ON Semiconductor

FYP0545STU

ნაწილი საფონდო: 873

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S210
ON Semiconductor

S210

ნაწილი საფონდო: 114121

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
NSVR0240HT1G
ON Semiconductor

NSVR0240HT1G

ნაწილი საფონდო: 141575

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 250mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 710mV @ 200mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MUR420SG
ON Semiconductor

MUR420SG

ნაწილი საფონდო: 710

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 890mV @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
SB007-03Q-TL-E
ON Semiconductor

SB007-03Q-TL-E

ნაწილი საფონდო: 169060

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 70mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 10ns,

სასურველი
S115FA
ON Semiconductor

S115FA

ნაწილი საფონდო: 143603

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
S1MFL
ON Semiconductor

S1MFL

ნაწილი საფონდო: 173522

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი
MURF550PFG
ON Semiconductor

MURF550PFG

ნაწილი საფონდო: 809

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 520V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 95ns,

სასურველი
NSR0520V2T1G
ON Semiconductor

NSR0520V2T1G

ნაწილი საფონდო: 124357

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 480mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 12ns,

სასურველი
FFD06UP20S
ON Semiconductor

FFD06UP20S

ნაწილი საფონდო: 734

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
MBR460MFST1G
ON Semiconductor

MBR460MFST1G

ნაწილი საფონდო: 191634

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFPF10UP30STTU
ON Semiconductor

FFPF10UP30STTU

ნაწილი საფონდო: 881

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 45ns,

სასურველი
SB3003CH-TL-W
ON Semiconductor

SB3003CH-TL-W

ნაწილი საფონდო: 102061

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 20ns,

სასურველი
SMMSD701T1G
ON Semiconductor

SMMSD701T1G

ნაწილი საფონდო: 122960

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 70V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
NSVBAS21AHT1G
ON Semiconductor

NSVBAS21AHT1G

ნაწილი საფონდო: 103578

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 250V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
MUR260G
ON Semiconductor

MUR260G

ნაწილი საფონდო: 170362

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი
SB02-09C-TB-E
ON Semiconductor

SB02-09C-TB-E

ნაწილი საფონდო: 183555

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 10ns,

სასურველი
MR856G
ON Semiconductor

MR856G

ნაწილი საფონდო: 183120

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
NRVBM110ET1G
ON Semiconductor

NRVBM110ET1G

ნაწილი საფონდო: 146672

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 10V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 595mV @ 2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი