Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
FFSH1665A
ON Semiconductor

FFSH1665A

ნაწილი საფონდო: 2653

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 23A (DC), სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
FFSH30120A
ON Semiconductor

FFSH30120A

ნაწილი საფონდო: 2398

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 46A (DC), სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
NGTD9R120F2WP
ON Semiconductor

NGTD9R120F2WP

ნაწილი საფონდო: 160395

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.6V @ 15A,

სასურველი
NHPV08S600G
ON Semiconductor

NHPV08S600G

ნაწილი საფონდო: 117921

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.2V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
FFSH2065BDN-F085
ON Semiconductor

FFSH2065BDN-F085

ნაწილი საფონდო: 2965

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
MBRS3201PT3G
ON Semiconductor

MBRS3201PT3G

ნაწილი საფონდო: 2341

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
RHRG5060
ON Semiconductor

RHRG5060

ნაწილი საფონდო: 15262

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
FFSH40120ADN-F085
ON Semiconductor

FFSH40120ADN-F085

ნაწილი საფონდო: 2903

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A (DC), სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
FFSH3065ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH3065ADN-F155

ნაწილი საფონდო: 2901

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 23A (DC), სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
FFH50US60S
ON Semiconductor

FFH50US60S

ნაწილი საფონდო: 15694

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.54V @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 124ns,

სასურველი
NHPV15S600G
ON Semiconductor

NHPV15S600G

ნაწილი საფონდო: 83704

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.2V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
FFSH4065A
ON Semiconductor

FFSH4065A

ნაწილი საფონდო: 2923

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 48A (DC), სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
MBRB1045G
ON Semiconductor

MBRB1045G

ნაწილი საფონდო: 66049

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
ISL9R1560G2-F085
ON Semiconductor

ISL9R1560G2-F085

ნაწილი საფონდო: 2937

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.2V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 40ns,

სასურველი
NGTD8R65F2WP
ON Semiconductor

NGTD8R65F2WP

ნაწილი საფონდო: 172240

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.8V @ 30A,

სასურველი
ISL9R18120G2
ON Semiconductor

ISL9R18120G2

ნაწილი საფონდო: 20459

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.3V @ 18A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 70ns,

სასურველი
MBRB2515LG
ON Semiconductor

MBRB2515LG

ნაწილი საფონდო: 39030

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MR854G
ON Semiconductor

MR854G

ნაწილი საფონდო: 183154

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 300ns,

სასურველი
MBR2515LG
ON Semiconductor

MBR2515LG

ნაწილი საფონდო: 31575

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor

NGTD17R120F2WP

ნაწილი საფონდო: 69954

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 35A,

სასურველი
FFSH3065B-F085
ON Semiconductor

FFSH3065B-F085

ნაწილი საფონდო: 2933

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 37A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 30A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
MBR1645G
ON Semiconductor

MBR1645G

ნაწილი საფონდო: 67876

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFH50US60S-F085
ON Semiconductor

FFH50US60S-F085

ნაწილი საფონდო: 2719

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.69V @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 163ns,

სასურველი
RHRG3060
ON Semiconductor

RHRG3060

ნაწილი საფონდო: 25614

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 45ns,

სასურველი
MUR110G
ON Semiconductor

MUR110G

ნაწილი საფონდო: 166509

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 875mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
MBR1050
ON Semiconductor

MBR1050

ნაწილი საფონდო: 145448

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR360G
ON Semiconductor

MBR360G

ნაწილი საფონდო: 146488

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 740mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRF1560G
ON Semiconductor

MSRF1560G

ნაწილი საფონდო: 88275

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 45ns,

სასურველი
FFPF10UP20STU
ON Semiconductor

FFPF10UP20STU

ნაწილი საფონდო: 77903

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
RD2006FR-H
ON Semiconductor

RD2006FR-H

ნაწილი საფონდო: 75387

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.75V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
MUR4100EG
ON Semiconductor

MUR4100EG

ნაწილი საფონდო: 107778

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 100ns,

სასურველი
FFSH2065A
ON Semiconductor

FFSH2065A

ნაწილი საფონდო: 2860

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A (DC), სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
MUR1515G
ON Semiconductor

MUR1515G

ნაწილი საფონდო: 64298

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.05V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
FFSH40120A
ON Semiconductor

FFSH40120A

ნაწილი საფონდო: 2977

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 61A (DC), სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
MBRS3100PT3G
ON Semiconductor

MBRS3100PT3G

ნაწილი საფონდო: 2327

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
ISL9R460PF2
ON Semiconductor

ISL9R460PF2

ნაწილი საფონდო: 70462

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 22ns,

სასურველი