დიოდები - RF

1SV251-TB-E

1SV251-TB-E

ნაწილი საფონდო: 102341

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 150mW,

სასურველი
1SV267-TB-E

1SV267-TB-E

ნაწილი საფონდო: 161501

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 150mW,

სასურველი
1SV315-TL-E

1SV315-TL-E

ნაწილი საფონდო: 143020

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 9 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

სასურველი
1SV249-TL-E

1SV249-TL-E

ნაწილი საფონდო: 144504

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

სასურველი
1SV263-TL-E

1SV263-TL-E

ნაწილი საფონდო: 154000

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

სასურველი
1SV264-TL-E

1SV264-TL-E

ნაწილი საფონდო: 103396

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.4pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

სასურველი
1SS351-TB-E

1SS351-TB-E

ნაწილი საფონდო: 101941

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 5V, მიმდინარე - მაქს: 30mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.9pF @ 0.2V, 1MHz,

სასურველი
1SV246-TL-EX

1SV246-TL-EX

ნაწილი საფონდო: 6972

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

სასურველი
1SV234-TB-E

1SV234-TB-E

ნაწილი საფონდო: 106394

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 150mW,

სასურველი
1SV246-TL-E

1SV246-TL-E

ნაწილი საფონდო: 150292

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

სასურველი
1SV233-TB-E

1SV233-TB-E

ნაწილი საფონდო: 148609

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.23pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 150mW,

სასურველი
MBD101G

MBD101G

ნაწილი საფონდო: 6849

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 280mW,

სასურველი
MMBD301LT3

MMBD301LT3

ნაწილი საფონდო: 6870

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, მოცულობა @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MPN3700

MPN3700

ნაწილი საფონდო: 7009

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 280mW,

სასურველი
MMBD770T1

MMBD770T1

ნაწილი საფონდო: 6904

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 70V, მიმდინარე - მაქს: 200mA, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 120mW,

სასურველი
MMVL3700T1G

MMVL3700T1G

ნაწილი საფონდო: 6982

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - მაქს: 20mA, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MMVL3700T1

MMVL3700T1

ნაწილი საფონდო: 6938

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - მაქს: 20mA, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MMBD452LT1G

MMBD452LT1G

ნაწილი საფონდო: 107325

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, მოცულობა @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 225mW,

სასურველი
NSVMMBD354LT1G

NSVMMBD354LT1G

ნაწილი საფონდო: 140707

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Common Cathode, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 300mW,

სასურველი
MBD110DWT1G

MBD110DWT1G

ნაწილი საფონდო: 6913

დიოდის ტიპი: Schottky - 2 Independent, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 120mW,

სასურველი
MBD770DWT1G

MBD770DWT1G

ნაწილი საფონდო: 177113

დიოდის ტიპი: Schottky - 2 Independent, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 70V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 380mW,

სასურველი
MMBD330T1G

MMBD330T1G

ნაწილი საფონდო: 116549

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, მიმდინარე - მაქს: 200mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 120mW,

სასურველი
MMVL3401T1

MMVL3401T1

ნაწილი საფონდო: 6899

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 20mA, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 700 mOhm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MMBD355LT1

MMBD355LT1

ნაწილი საფონდო: 6874

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Common Anode, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 225mW,

სასურველი
MMBV3401LT1

MMBV3401LT1

ნაწილი საფონდო: 6916

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 700 mOhm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MMDL101T1G

MMDL101T1G

ნაწილი საფონდო: 198540

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MMBD352WT1G

MMBD352WT1G

ნაწილი საფონდო: 120914

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MMBD101LT1G

MMBD101LT1G

ნაწილი საფონდო: 100916

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 225mW,

სასურველი
MMBD353LT1G

MMBD353LT1G

ნაწილი საფონდო: 146136

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 225mW,

სასურველი
MMDL101T1

MMDL101T1

ნაწილი საფონდო: 6895

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MBD330DWT1G

MBD330DWT1G

ნაწილი საფონდო: 116957

დიოდის ტიპი: Schottky - 2 Independent, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, მოცულობა @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 120mW,

სასურველი
SMMBD701LT1G

SMMBD701LT1G

ნაწილი საფონდო: 102478

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 70V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MMBD301M3T5G

MMBD301M3T5G

ნაწილი საფონდო: 110296

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, მოცულობა @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 200mW,

სასურველი
MMBD354LT1G

MMBD354LT1G

ნაწილი საფონდო: 101145

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Common Cathode, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 225mW,

სასურველი
MMBD770T1G

MMBD770T1G

ნაწილი საფონდო: 165358

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 70V, მიმდინარე - მაქს: 200mA, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 120mW,

სასურველი
MMBD352LT1G

MMBD352LT1G

ნაწილი საფონდო: 189512

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 7V, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 225mW,

სასურველი