Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
M1MA152WAT1G
ON Semiconductor

M1MA152WAT1G

ნაწილი საფონდო: 167281

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
MBR6045PTG
ON Semiconductor

MBR6045PTG

ნაწილი საფონდო: 3787

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEP16BTD
ON Semiconductor

FEP16BTD

ნაწილი საფონდო: 3822

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFP30U60DNTU
ON Semiconductor

FFP30U60DNTU

ნაწილი საფონდო: 3780

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURD620CT1
ON Semiconductor

MURD620CT1

ნაწილი საფონდო: 3881

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20H100CT
ON Semiconductor

MBR20H100CT

ნაწილი საფონდო: 3805

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEP16HTD
ON Semiconductor

FEP16HTD

ნაწილი საფონდო: 4390

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURB1620CTR
ON Semiconductor

MURB1620CTR

ნაწილი საფონდო: 3887

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
DAP222
ON Semiconductor

DAP222

ნაწილი საფონდო: 3720

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
FEP16DTA
ON Semiconductor

FEP16DTA

ნაწილი საფონდო: 3834

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFPF15U20DPTU
ON Semiconductor

FFPF15U20DPTU

ნაწილი საფონდო: 3783

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBAV199LT3G
ON Semiconductor

SBAV199LT3G

ნაწილი საფონდო: 186340

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 70V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 215mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MMBD1505
ON Semiconductor

MMBD1505

ნაწილი საფონდო: 3754

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
FFAF10U120DNTU
ON Semiconductor

FFAF10U120DNTU

ნაწილი საფონდო: 3820

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.5V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30H100CT
ON Semiconductor

MBR30H100CT

ნაწილი საფონდო: 3831

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFPF30UP20DNTU
ON Semiconductor

FFPF30UP20DNTU

ნაწილი საფონდო: 3826

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFPF06U20DNTU
ON Semiconductor

FFPF06U20DNTU

ნაწილი საფონდო: 3769

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFL60U60DNTU
ON Semiconductor

FFL60U60DNTU

ნაწილი საფონდო: 3793

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.2V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFPF10U20DPTU
ON Semiconductor

FFPF10U20DPTU

ნაწილი საფონდო: 3760

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFP06U20DNTU
ON Semiconductor

FFP06U20DNTU

ნაწილი საფონდო: 3764

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
ISL9K18120G3
ON Semiconductor

ISL9K18120G3

ნაწილი საფონდო: 3817

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.3V @ 18A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RURG3060CC-F085
ON Semiconductor

RURG3060CC-F085

ნაწილი საფონდო: 3524

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MMBD2837LT1
ON Semiconductor

MMBD2837LT1

ნაწილი საფონდო: 3716

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
MUR1610CT
ON Semiconductor

MUR1610CT

ნაწილი საფონდო: 3725

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 975mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB20200CTT4G
ON Semiconductor

MBRB20200CTT4G

ნაწილი საფონდო: 71295

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
M1MA151WKT1G
ON Semiconductor

M1MA151WKT1G

ნაწილი საფონდო: 101193

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
FYP1545DNTU
ON Semiconductor

FYP1545DNTU

ნაწილი საფონდო: 4454

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRP20030CTL
ON Semiconductor

MBRP20030CTL

ნაწილი საფონდო: 3673

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FFB20UP20DN
ON Semiconductor

FFB20UP20DN

ნაწილი საფონდო: 3832

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FYPF1004DNTU
ON Semiconductor

FYPF1004DNTU

ნაწილი საფონდო: 4429

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 670mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
HN2D02FUTW1T1G
ON Semiconductor

HN2D02FUTW1T1G

ნაწილი საფონდო: 102288

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
FFAF30U60DNTU
ON Semiconductor

FFAF30U60DNTU

ნაწილი საფონდო: 3770

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEP16BTA
ON Semiconductor

FEP16BTA

ნაწილი საფონდო: 3831

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
M1MA142WKT1G
ON Semiconductor

M1MA142WKT1G

ნაწილი საფონდო: 110912

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
FFPF06U40DPTU
ON Semiconductor

FFPF06U40DPTU

ნაწილი საფონდო: 4439

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FEP16FTA
ON Semiconductor

FEP16FTA

ნაწილი საფონდო: 3799

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 8A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი