Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
FQU2N90TU-WS
ON Semiconductor

FQU2N90TU-WS

ნაწილი საფონდო: 10924

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.2 Ohm @ 850mA, 10V,

სასურველი
SFT1345-H
ON Semiconductor

SFT1345-H

ნაწილი საფონდო: 1443

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 275 mOhm @ 5.5A, 10V,

სასურველი
MCH3375-TL-H
ON Semiconductor

MCH3375-TL-H

ნაწილი საფონდო: 1476

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 800mA, 10V,

სასურველი
FDD9410-F085
ON Semiconductor

FDD9410-F085

ნაწილი საფონდო: 10772

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
SCH1343-TL-H
ON Semiconductor

SCH1343-TL-H

ნაწილი საფონდო: 1491

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2A, 4.5V,

სასურველი
FDV301N-NB9V005
ON Semiconductor

FDV301N-NB9V005

ნაწილი საფონდო: 1432

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 220mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.7V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V,

სასურველი
SFT1350-H
ON Semiconductor

SFT1350-H

ნაწილი საფონდო: 1459

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 9.5A, 10V,

სასურველი
FDFS2P106A
ON Semiconductor

FDFS2P106A

ნაწილი საფონდო: 118176

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3A, 10V,

სასურველი
FQD18N20V2TM
ON Semiconductor

FQD18N20V2TM

ნაწილი საფონდო: 129242

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 7.5A, 10V,

სასურველი
FQPF13N50C
ON Semiconductor

FQPF13N50C

ნაწილი საფონდო: 1557

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 6.5A, 10V,

სასურველი
NVD3055L170T4G-VF01
ON Semiconductor

NVD3055L170T4G-VF01

ნაწილი საფონდო: 162864

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

სასურველი
NVD5867NLT4G-TB01
ON Semiconductor

NVD5867NLT4G-TB01

ნაწილი საფონდო: 1635

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), 22A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 11A, 10V,

სასურველი
FDS4488
ON Semiconductor

FDS4488

ნაწილი საფონდო: 6246

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.9A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.9A, 10V,

სასურველი
NTMFS4839NHT1G
ON Semiconductor

NTMFS4839NHT1G

ნაწილი საფონდო: 1493

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 11.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
FDFMA3P029Z
ON Semiconductor

FDFMA3P029Z

ნაწილი საფონდო: 1543

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 3.3A, 10V,

სასურველი
FDD4685-F085
ON Semiconductor

FDD4685-F085

ნაწილი საფონდო: 10840

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 32A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8.4A, 10V,

სასურველი
FQD20N06TM
ON Semiconductor

FQD20N06TM

ნაწილი საფონდო: 199643

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 8.4A, 10V,

სასურველი
NDB6030PL
ON Semiconductor

NDB6030PL

ნაწილი საფონდო: 81478

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 19A, 10V,

სასურველი
NTD65N03R-001
ON Semiconductor

NTD65N03R-001

ნაწილი საფონდო: 1606

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

სასურველი
FDS8876
ON Semiconductor

FDS8876

ნაწილი საფონდო: 189278

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

სასურველი
FDD3672
ON Semiconductor

FDD3672

ნაწილი საფონდო: 95320

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 44A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 6V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 44A, 10V,

სასურველი
FCD600N60Z
ON Semiconductor

FCD600N60Z

ნაწილი საფონდო: 119597

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.4A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.7A, 10V,

სასურველი
NVD5C454NT4G
ON Semiconductor

NVD5C454NT4G

ნაწილი საფონდო: 10836

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 82A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 40A, 10V,

სასურველი
FDD7N60NZTM
ON Semiconductor

FDD7N60NZTM

ნაწილი საფონდო: 144186

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V,

სასურველი
FDD9510L-F085
ON Semiconductor

FDD9510L-F085

ნაწილი საფონდო: 10762

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
NTD18N06LT4G
ON Semiconductor

NTD18N06LT4G

ნაწილი საფონდო: 193555

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 5V,

სასურველი
NTMS10P02R2G
ON Semiconductor

NTMS10P02R2G

ნაწილი საფონდო: 102347

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 4.5V,

სასურველი
NTD6414ANT4G
ON Semiconductor

NTD6414ANT4G

ნაწილი საფონდო: 125630

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 32A, 10V,

სასურველი
FQD1N60CTM
ON Semiconductor

FQD1N60CTM

ნაწილი საფონდო: 187248

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი
FDD5N50UTM-WS
ON Semiconductor

FDD5N50UTM-WS

ნაწილი საფონდო: 10831

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.5A, 10V,

სასურველი
FDB8832-F085
ON Semiconductor

FDB8832-F085

ნაწილი საფონდო: 1633

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 34A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 80A, 10V,

სასურველი
FDPF33N25T
ON Semiconductor

FDPF33N25T

ნაწილი საფონდო: 41389

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V,

სასურველი
FDD8770
ON Semiconductor

FDD8770

ნაწილი საფონდო: 170589

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 35A, 10V,

სასურველი
HUF76633P3-F085
ON Semiconductor

HUF76633P3-F085

ნაწილი საფონდო: 1507

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 39A, 10V,

სასურველი
FDS4675
ON Semiconductor

FDS4675

ნაწილი საფონდო: 118203

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11A, 10V,

სასურველი
FQD2N80TM
ON Semiconductor

FQD2N80TM

ნაწილი საფონდო: 147385

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 800V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.3 Ohm @ 900mA, 10V,

სასურველი