Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
FCH041N60E
ON Semiconductor

FCH041N60E

ნაწილი საფონდო: 5830

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 39A, 10V,

სასურველი
FQP6N40CF
ON Semiconductor

FQP6N40CF

ნაწილი საფონდო: 42360

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3A, 10V,

სასურველი
FDB8444
ON Semiconductor

FDB8444

ნაწილი საფონდო: 73361

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 70A, 10V,

სასურველი
HUF75542P3
ON Semiconductor

HUF75542P3

ნაწილი საფონდო: 23366

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

სასურველი
NVB5404NT4G
ON Semiconductor

NVB5404NT4G

ნაწილი საფონდო: 47506

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V,

სასურველი
FCH041N60F
ON Semiconductor

FCH041N60F

ნაწილი საფონდო: 7301

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 38A, 10V,

სასურველი
FQPF5N50CYDTU
ON Semiconductor

FQPF5N50CYDTU

ნაწილი საფონდო: 47888

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

სასურველი
FQP9N30
ON Semiconductor

FQP9N30

ნაწილი საფონდო: 51666

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 300V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 4.5A, 10V,

სასურველი
HUF75639S3
ON Semiconductor

HUF75639S3

ნაწილი საფონდო: 54528

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

სასურველი
WPH4003-1E
ON Semiconductor

WPH4003-1E

ნაწილი საფონდო: 12250

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1700V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

სასურველი
FDP2710-F085
ON Semiconductor

FDP2710-F085

ნაწილი საფონდო: 4329

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
FDB2532-F085
ON Semiconductor

FDB2532-F085

ნაწილი საფონდო: 4262

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 150V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 79A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 6V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 33A, 10V,

სასურველი
FQP12P20
ON Semiconductor

FQP12P20

ნაწილი საფონდო: 39385

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 5.75A, 10V,

სასურველი
FQPF5N60C
ON Semiconductor

FQPF5N60C

ნაწილი საფონდო: 65973

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V,

სასურველი
FDP3651U
ON Semiconductor

FDP3651U

ნაწილი საფონდო: 23051

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 80A, 10V,

სასურველი
FCA36N60NF
ON Semiconductor

FCA36N60NF

ნაწილი საფონდო: 6046

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 34.9A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 18A, 10V,

სასურველი
FQA90N08
ON Semiconductor

FQA90N08

ნაწილი საფონდო: 18361

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 45A, 10V,

სასურველი
FQB9N50CTM
ON Semiconductor

FQB9N50CTM

ნაწილი საფონდო: 83086

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V,

სასურველი
FCA35N60
ON Semiconductor

FCA35N60

ნაწილი საფონდო: 10941

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 17.5A, 10V,

სასურველი
HUFA75645S3S
ON Semiconductor

HUFA75645S3S

ნაწილი საფონდო: 25731

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

სასურველი
NTHL082N65S3F
ON Semiconductor

NTHL082N65S3F

ნაწილი საფონდო: 2216

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი
FDP33N25
ON Semiconductor

FDP33N25

ნაწილი საფონდო: 37182

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V,

სასურველი
FCH041N60F-F085
ON Semiconductor

FCH041N60F-F085

ნაწილი საფონდო: 2859

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 38A, 10V,

სასურველი
FCP067N65S3
ON Semiconductor

FCP067N65S3

ნაწილი საფონდო: 19794

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 22A, 10V,

სასურველი
FDPF33N25TRDTU
ON Semiconductor

FDPF33N25TRDTU

ნაწილი საფონდო: 87253

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 16.5A, 10V,

სასურველი
FCH47N60F-F085
ON Semiconductor

FCH47N60F-F085

ნაწილი საფონდო: 2894

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 47A, 10V,

სასურველი
FQA44N30
ON Semiconductor

FQA44N30

ნაწილი საფონდო: 10244

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 300V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 43.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 21.75A, 10V,

სასურველი
FCP11N60N
ON Semiconductor

FCP11N60N

ნაწილი საფონდო: 49440

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 5.4A, 10V,

სასურველი
FCPF11N60NT
ON Semiconductor

FCPF11N60NT

ნაწილი საფონდო: 17440

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.8A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 5.4A, 10V,

სასურველი
FQA6N90C-F109
ON Semiconductor

FQA6N90C-F109

ნაწილი საფონდო: 2429

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 3A, 10V,

სასურველი
FDA38N30
ON Semiconductor

FDA38N30

ნაწილი საფონდო: 22090

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 300V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 19A, 10V,

სასურველი
FQP4N90C
ON Semiconductor

FQP4N90C

ნაწილი საფონდო: 69095

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 2A, 10V,

სასურველი
FQPF6N90C
ON Semiconductor

FQPF6N90C

ნაწილი საფონდო: 38837

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 900V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 3A, 10V,

სასურველი
FCH170N60
ON Semiconductor

FCH170N60

ნაწილი საფონდო: 19339

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 11A, 10V,

სასურველი
FDA28N50F
ON Semiconductor

FDA28N50F

ნაწილი საფონდო: 15995

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 14A, 10V,

სასურველი
FQA160N08
ON Semiconductor

FQA160N08

ნაწილი საფონდო: 14813

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 80A, 10V,

სასურველი