ფიქსირებული ინდუქტორები

LQH3NPZ3R3MMEL

LQH3NPZ3R3MMEL

ნაწილი საფონდო: 134307

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.52A,

სასურველი
LQW04CA60NK00D

LQW04CA60NK00D

ნაწილი საფონდო: 156685

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 60nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,

სასურველი
LQH3NPZ6R8MMEL

LQH3NPZ6R8MMEL

ნაწილი საფონდო: 105134

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.04A,

სასურველი
LQH32NH6R8J23L

LQH32NH6R8J23L

ნაწილი საფონდო: 120

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 315mA,

სასურველი
LQW04AN2N7D00D

LQW04AN2N7D00D

ნაწილი საფონდო: 145636

ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA,

სასურველი
LQW04AN3N0C00D

LQW04AN3N0C00D

ნაწილი საფონდო: 125673

ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,

სასურველი
DFE201210U-R68M=P2

DFE201210U-R68M=P2

ნაწილი საფონდო: 156

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.6A,

სასურველი
DFE252008C-1R0M=P2

DFE252008C-1R0M=P2

ნაწილი საფონდო: 149359

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron Powder, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,

სასურველი
LQH3NPZ4R7MMEL

LQH3NPZ4R7MMEL

ნაწილი საფონდო: 124545

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
LQW04AN15NH00D

LQW04AN15NH00D

ნაწილი საფონდო: 193140

ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
LQH32PN220MN0L

LQH32PN220MN0L

ნაწილი საფონდო: 163948

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,

სასურველი
LQH3NPN6R8MGRL

LQH3NPN6R8MGRL

ნაწილი საფონდო: 152657

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA, მიმდინარე - სატურაცია: 720mA,

სასურველი
LQH32NH220J23L

LQH32NH220J23L

ნაწილი საფონდო: 68

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
LQH2MCN180M52L

LQH2MCN180M52L

ნაწილი საფონდო: 158518

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
LQW04AN5N6D00D

LQW04AN5N6D00D

ნაწილი საფონდო: 146997

ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,

სასურველი
LQH3NPN181MGRL

LQH3NPN181MGRL

ნაწილი საფონდო: 170187

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA, მიმდინარე - სატურაცია: 130mA,

სასურველი
LQH32PN1R5NN0L

LQH32PN1R5NN0L

ნაწილი საფონდო: 101533

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.75A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.75A,

სასურველი
LQW04AN22NH00D

LQW04AN22NH00D

ნაწილი საფონდო: 198025

ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
DFE201210U-1R5M=P2

DFE201210U-1R5M=P2

ნაწილი საფონდო: 183

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
LQH3NPN100MGRL

LQH3NPN100MGRL

ნაწილი საფონდო: 175459

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 670mA, მიმდინარე - სატურაცია: 570mA,

სასურველი
LQW04AN1N3C00D

LQW04AN1N3C00D

ნაწილი საფონდო: 117298

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQW04AN15NJ00D

LQW04AN15NJ00D

ნაწილი საფონდო: 153921

ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
LQH32NH150J23L

LQH32NH150J23L

ნაწილი საფონდო: 88

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 270mA,

სასურველი
LQM21PN2R2MGHL

LQM21PN2R2MGHL

ნაწილი საფონდო: 137753

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,

სასურველი
LQH32PNR47NN0L

LQH32PNR47NN0L

ნაწილი საფონდო: 111180

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,

სასურველი
LQH32PH100MNCL

LQH32PH100MNCL

ნაწილი საფონდო: 182940

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
LQH3NPN1R5MGRL

LQH3NPN1R5MGRL

ნაწილი საფონდო: 185151

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.22A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
LQH3NPN330MGRL

LQH3NPN330MGRL

ნაწილი საფონდო: 122672

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,

სასურველი
LQH32NH331J23L

LQH32NH331J23L

ნაწილი საფონდო: 95

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
LQW04AN3N3D00D

LQW04AN3N3D00D

ნაწილი საფონდო: 168136

ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,

სასურველი
LQW04AN11NJ00D

LQW04AN11NJ00D

ნაწილი საფონდო: 170169

ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,

სასურველი
LQW04AN4N3C00D

LQW04AN4N3C00D

ნაწილი საფონდო: 133346

ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,

სასურველი
LQW04AN6N2C00D

LQW04AN6N2C00D

ნაწილი საფონდო: 133980

ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,

სასურველი
LQW04AN7N5C00D

LQW04AN7N5C00D

ნაწილი საფონდო: 120365

ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,

სასურველი
LQH32NH8R2J23L

LQH32NH8R2J23L

ნაწილი საფონდო: 80

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LQW04AN13NJ00D

LQW04AN13NJ00D

ნაწილი საფონდო: 112526

ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,

სასურველი