კერამიკული კონდენსატორები

GRM1556T1H4R7CD01D

GRM1556T1H4R7CD01D

ნაწილი საფონდო: 4232

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM0335C1ER30BD03D

GCM0335C1ER30BD03D

ნაწილი საფონდო: 7415

ტევადობა: 0.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM2195C2A2R7BB01D

GQM2195C2A2R7BB01D

ნაწილი საფონდო: 115727

ტევადობა: 2.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
RPE5C2A100J2P1Z03B

RPE5C2A100J2P1Z03B

ნაწილი საფონდო: 7924

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196R2A181JZ01D

GRM2196R2A181JZ01D

ნაწილი საფონდო: 3955

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E9R4DD01D

GRM0335C1E9R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 3739

ტევადობა: 9.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1H3R6CD01D

GRM1886T1H3R6CD01D

ნაწილი საფონდო: 1588

ტევადობა: 3.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H510JD01D

GRM1556T1H510JD01D

ნაწილი საფონდო: 9217

ტევადობა: 51pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E8R6DD01D

GRM0335C1E8R6DD01D

ნაწილი საფონდო: 1352

ტევადობა: 8.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E7R1CA01D

GRM1555C1E7R1CA01D

ნაწილი საფონდო: 130404

ტევადობა: 7.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H470JD01D

GRM1556T1H470JD01D

ნაწილი საფონდო: 4682

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1H3R5CD01D

GRM1886T1H3R5CD01D

ნაწილი საფონდო: 3349

ტევადობა: 3.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196P2A8R3DZ01D

GRM2196P2A8R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 3331

ტევადობა: 8.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E180GDAEL

GRM0225C1E180GDAEL

ნაწილი საფონდო: 161146

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886T1H5R5DD01D

GRM1886T1H5R5DD01D

ნაწილი საფონდო: 2269

ტევადობა: 5.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196R2A431JZ01D

GRM2196R2A431JZ01D

ნაწილი საფონდო: 9147

ტევადობა: 430pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196P2A7R2DZ01D

GRM2196P2A7R2DZ01D

ნაწილი საფონდო: 339

ტევადობა: 7.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR33D222KN7A

DEHR33D222KN7A

ნაწილი საფონდო: 175923

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1886T1H7R7DD01D

GRM1886T1H7R7DD01D

ნაწილი საფონდო: 2293

ტევადობა: 7.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H5R4DD01D

GRM1556T1H5R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 2698

ტევადობა: 5.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H6R8CD01D

GRM1556T1H6R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 8767

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H4R3CD01D

GRM1556T1H4R3CD01D

ნაწილი საფონდო: 3525

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E9R8CD01D

GRM0335C1E9R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 3839

ტევადობა: 9.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H1R4CD01D

GRM0335C1H1R4CD01D

ნაწილი საფონდო: 190

ტევადობა: 1.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E9R2DD01D

GRM0335C1E9R2DD01D

ნაწილი საფონდო: 4766

ტევადობა: 9.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E8R7DD01D

GRM0335C1E8R7DD01D

ნაწილი საფონდო: 6039

ტევადობა: 8.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A5R7DA01D

GRM1885C2A5R7DA01D

ნაწილი საფონდო: 147990

ტევადობა: 5.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A7R0BA01D

GRM1885C2A7R0BA01D

ნაწილი საფონდო: 120440

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM0335C1E6R2DD03D

GCM0335C1E6R2DD03D

ნაწილი საფონდო: 9130

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM0335C1E5R9DD03D

GCM0335C1E5R9DD03D

ნაწილი საფონდო: 7931

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1H1R7CA01D

GRM1555C1H1R7CA01D

ნაწილი საფონდო: 161860

ტევადობა: 1.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E220JZ01D

GRM1555C1E220JZ01D

ნაწილი საფონდო: 6343

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C2A8R0DA01D

GRM1555C2A8R0DA01D

ნაწილი საფონდო: 132801

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H560JD01D

GRM1556T1H560JD01D

ნაწილი საფონდო: 8997

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E3R0CZ01D

GRM1555C1E3R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 84

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A7R3DA01D

GRM1885C2A7R3DA01D

ნაწილი საფონდო: 168919

ტევადობა: 7.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი