მეხსიერება

MT46V128M4P-5B:D TR

MT46V128M4P-5B:D TR

ნაწილი საფონდო: 5379

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC4M32B2F5-6:G

MT48LC4M32B2F5-6:G

ნაწილი საფონდო: 4162

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
MT48V8M32LFF5-10 IT TR

MT48V8M32LFF5-10 IT TR

ნაწილი საფონდო: 3749

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 100MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48V8M16LFB4-10:G

MT48V8M16LFB4-10:G

ნაწილი საფონდო: 3283

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 100MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR

MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR

ნაწილი საფონდო: 4368

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M16A2P-75:G

MT48LC8M16A2P-75:G

ნაწილი საფონდო: 1632

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H16M16BG-5E:B TR

MT47H16M16BG-5E:B TR

ნაწილი საფონდო: 8372

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT45W4MW16PBA-70 WT TR

MT45W4MW16PBA-70 WT TR

ნაწილი საფონდო: 5105

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT28F640J3BS-115 ET TR

MT28F640J3BS-115 ET TR

ნაწილი საფონდო: 3327

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

სასურველი
MT46V64M8BN-6:D

MT46V64M8BN-6:D

ნაწილი საფონდო: 7592

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M32B2TG-6 TR

MT48LC8M32B2TG-6 TR

ნაწილი საფონდო: 2352

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
MT28F008B5VG-8 B TR

MT28F008B5VG-8 B TR

ნაწილი საფონდო: 2028

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT46V64M8FN-75:D

MT46V64M8FN-75:D

ნაწილი საფონდო: 8017

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC32M4A2P-7E:G TR

MT48LC32M4A2P-7E:G TR

ნაწილი საფონდო: 183

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT28F400B5SG-8 B TR

MT28F400B5SG-8 B TR

ნაწილი საფონდო: 2968

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT48LC16M8A2TG-7E:G

MT48LC16M8A2TG-7E:G

ნაწილი საფონდო: 9977

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR

MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR

ნაწილი საფონდო: 1543

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48V4M32LFF5-8:G TR

MT48V4M32LFF5-8:G TR

ნაწილი საფონდო: 3259

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M8A2P-75 IT:G

MT48LC8M8A2P-75 IT:G

ნაწილი საფონდო: 2585

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT45W4MW16BFB-708 WT

MT45W4MW16BFB-708 WT

ნაწილი საფონდო: 3528

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

ნაწილი საფონდო: 8309

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V256M4TG-75:A TR

MT46V256M4TG-75:A TR

ნაწილი საფონდო: 6014

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (256M x 4), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F800B5WG-8 B TR

MT28F800B5WG-8 B TR

ნაწილი საფონდო: 4254

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT48LC8M32B2P-7 TR

MT48LC8M32B2P-7 TR

ნაწილი საფონდო: 2379

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT46V32M16FN-5B:C

MT46V32M16FN-5B:C

ნაწილი საფონდო: 6240

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M32B2F5-6 TR

MT48LC8M32B2F5-6 TR

ნაწილი საფონდო: 2199

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 166MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR

MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR

ნაწილი საფონდო: 119

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Tb (512G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT46V64M8TG-75E:D TR

MT46V64M8TG-75E:D TR

ნაწილი საფონდო: 8174

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F800B5WP-8 T TR

MT28F800B5WP-8 T TR

ნაწილი საფონდო: 4421

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT28F800B3WG-9 T TR

MT28F800B3WG-9 T TR

ნაწილი საფონდო: 3980

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი
MT45W4MW16PFA-85 WT

MT45W4MW16PFA-85 WT

ნაწილი საფონდო: 5247

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი
MT48H8M16LFF4-8 IT

MT48H8M16LFF4-8 IT

ნაწილი საფონდო: 9249

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F8G08BAAWP:A TR

MT29F8G08BAAWP:A TR

ნაწილი საფონდო: 9114

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8),

სასურველი
MT48LC8M16LFF4-10 IT:G

MT48LC8M16LFF4-10 IT:G

ნაწილი საფონდო: 2019

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 100MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M32B2B5-7

MT48LC8M32B2B5-7

ნაწილი საფონდო: 4237

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT28F008B3VG-9 T TR

MT28F008B3VG-9 T TR

ნაწილი საფონდო: 2030

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი