მეხსიერება

MT28F320J3BS-11 MET TR

MT28F320J3BS-11 MET TR

ნაწილი საფონდო: 2482

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

სასურველი
MT48LC8M8A2TG-7E L:G

MT48LC8M8A2TG-7E L:G

ნაწილი საფონდო: 2884

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR

MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR

ნაწილი საფონდო: 295

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT45W4MW16BFB-706 WT

MT45W4MW16BFB-706 WT

ნაწილი საფონდო: 4858

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT48H16M32L2B5-10 TR

MT48H16M32L2B5-10 TR

ნაწილი საფონდო: 8837

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (16M x 32), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT48H16M32L2F5-8 IT TR

MT48H16M32L2F5-8 IT TR

ნაწილი საფონდო: 3982

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (16M x 32), საათის სიხშირე: 125MHz,

სასურველი
MT48LC4M16A2TG-75 L:G

MT48LC4M16A2TG-75 L:G

ნაწილი საფონდო: 769

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC64M4A2TG-6A:D

MT48LC64M4A2TG-6A:D

ნაწილი საფონდო: 1407

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
MT48H4M16LFF4-8

MT48H4M16LFF4-8

ნაწილი საფონდო: 9183

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V128M4TG-75E:D

MT46V128M4TG-75E:D

ნაწილი საფონდო: 5459

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC32M8A2P-75 IT:D

MT48LC32M8A2P-75 IT:D

ნაწილი საფონდო: 364

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT45W1MW16PABA-70 WT TR

MT45W1MW16PABA-70 WT TR

ნაწილი საფონდო: 3491

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT48LC2M32B2P-55:G

MT48LC2M32B2P-55:G

ნაწილი საფონდო: 9972

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 183MHz,

სასურველი
MT48LC4M32B2P-7:G

MT48LC4M32B2P-7:G

ნაწილი საფონდო: 4129

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR

MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR

ნაწილი საფონდო: 295

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT28F400B5SG-8 BET TR

MT28F400B5SG-8 BET TR

ნაწილი საფონდო: 2979

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT28F004B3VG-8 TET TR

MT28F004B3VG-8 TET TR

ნაწილი საფონდო: 1682

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT46V32M8BG-75:G TR

MT46V32M8BG-75:G TR

ნაწილი საფონდო: 7245

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V16M16FG-75:F TR

MT46V16M16FG-75:F TR

ნაწილი საფონდო: 5642

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC2M32B2P-5:G TR

MT48LC2M32B2P-5:G TR

ნაწილი საფონდო: 10026

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (2M x 32), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT48LC8M16A2TG-75:G TR

MT48LC8M16A2TG-75:G TR

ნაწილი საფონდო: 1733

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V32M16TG-75Z:C

MT46V32M16TG-75Z:C

ნაწილი საფონდო: 6970

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC16M4A2P-75:G

MT48LC16M4A2P-75:G

ნაწილი საფონდო: 9645

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48H8M32LFF5-10 IT TR

MT48H8M32LFF5-10 IT TR

ნაწილი საფონდო: 9312

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 100MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F128J3RP-12 MET

MT28F128J3RP-12 MET

ნაწილი საფონდო: 2385

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

სასურველი
MT46V32M8TG-75:G TR

MT46V32M8TG-75:G TR

ნაწილი საფონდო: 7419

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48H8M32LFF5-10

MT48H8M32LFF5-10

ნაწილი საფონდო: 9264

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 100MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M16A2TG-6A:G TR

MT48LC8M16A2TG-6A:G TR

ნაწილი საფონდო: 1673

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
MT47H256M4BT-3:A

MT47H256M4BT-3:A

ნაწილი საფონდო: 8368

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (256M x 4), საათის სიხშირე: 333MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
M29W640FT70N6E

M29W640FT70N6E

ნაწილი საფონდო: 8533

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT28F400B3WG-8 TET

MT28F400B3WG-8 TET

ნაწილი საფონდო: 2944

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR

MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 3497

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MTFC256GBAOANAM-WT

MTFC256GBAOANAM-WT

ნაწილი საფონდო: 95

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8),

სასურველი
MT48LC4M32LFB5-8 IT:G TR

MT48LC4M32LFB5-8 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 1085

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F800B5SG-8 T

MT28F800B5SG-8 T

ნაწილი საფონდო: 4188

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT28F800B3SG-9 TET TR

MT28F800B3SG-9 TET TR

ნაწილი საფონდო: 3944

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი