მეხსიერება

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR

ნაწილი საფონდო: 134

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 64Gb (1G x 64), საათის სიხშირე: 2133MHz,

სასურველი
MT28F320J3RP-11 MET

MT28F320J3RP-11 MET

ნაწილი საფონდო: 2655

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

სასურველი
MT48V8M16LFF4-8:G TR

MT48V8M16LFF4-8:G TR

ნაწილი საფონდო: 3602

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F640J3FS-115 MET TR

MT28F640J3FS-115 MET TR

ნაწილი საფონდო: 3729

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

სასურველი
MT46V32M8TG-75Z:G TR

MT46V32M8TG-75Z:G TR

ნაწილი საფონდო: 7316

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC64M4A2P-75 L:D

MT48LC64M4A2P-75 L:D

ნაწილი საფონდო: 1299

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT45W1MW16BAFB-856 WT TR

MT45W1MW16BAFB-856 WT TR

ნაწილი საფონდო: 4566

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი
MT28F320J3FS-11 MET

MT28F320J3FS-11 MET

ნაწილი საფონდო: 2576

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

სასურველი
MT48LC32M8A2P-75 L:D

MT48LC32M8A2P-75 L:D

ნაწილი საფონდო: 341

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48V8M16LFF4-10:G

MT48V8M16LFF4-10:G

ნაწილი საფონდო: 3568

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 100MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR

ნაწილი საფონდო: 277

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 3Tb (384G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT48LC4M32B2B5-7:G

MT48LC4M32B2B5-7:G

ნაწილი საფონდო: 917

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT28F400B5WP-8 TET

MT28F400B5WP-8 TET

ნაწილი საფონდო: 3267

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT28F128J3BS-12 ET

MT28F128J3BS-12 ET

ნაწილი საფონდო: 2273

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

სასურველი
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR

ნაწილი საფონდო: 406

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT48LC16M8A2P-75 IT:G

MT48LC16M8A2P-75 IT:G

ნაწილი საფონდო: 9774

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F400B5WG-8 TET TR

MT28F400B5WG-8 TET TR

ნაწილი საფონდო: 3212

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT45W2MW16BAFB-856 WT

MT45W2MW16BAFB-856 WT

ნაწილი საფონდო: 4681

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი
MT46V32M8FG-75E:G

MT46V32M8FG-75E:G

ნაწილი საფონდო: 7259

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48H16M32L2B5-10 IT

MT48H16M32L2B5-10 IT

ნაწილი საფონდო: 8819

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (16M x 32), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR

ნაწილი საფონდო: 306

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT28F320J3FS-11 GMET TR

MT28F320J3FS-11 GMET TR

ნაწილი საფონდო: 2591

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

სასურველი
MT46V32M16TG-5B:C

MT46V32M16TG-5B:C

ნაწილი საფონდო: 6752

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F400B3SG-8 T TR

MT28F400B3SG-8 T TR

ნაწილი საფონდო: 2849

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT28F800B3SG-9 T TR

MT28F800B3SG-9 T TR

ნაწილი საფონდო: 3880

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

ნაწილი საფონდო: 85

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
MT28F128J3RG-12 MET TR

MT28F128J3RG-12 MET TR

ნაწილი საფონდო: 3325

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

სასურველი
MT47H128M8BT-37E:A

MT47H128M8BT-37E:A

ნაწილი საფონდო: 8287

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F004B5VG-8 T TR

MT28F004B5VG-8 T TR

ნაწილი საფონდო: 1939

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT46V16M8P-75:D TR

MT46V16M8P-75:D TR

ნაწილი საფონდო: 5934

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M32B2TG-7 TR

MT48LC8M32B2TG-7 TR

ნაწილი საფონდო: 2408

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 143MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT28F004B5VG-8 BET TR

MT28F004B5VG-8 BET TR

ნაწილი საფონდო: 3238

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT48LC64M8A2P-75 L:C

MT48LC64M8A2P-75 L:C

ნაწილი საფონდო: 1524

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G

MT48LC4M32LFB5-8 XT:G

ნაწილი საფონდო: 1065

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (4M x 32), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46V64M8P-75 L:D

MT46V64M8P-75 L:D

ნაწილი საფონდო: 8050

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT45W4MW16BFB-856 WT

MT45W4MW16BFB-856 WT

ნაწილი საფონდო: 5000

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: PSRAM, ტექნოლოგია: PSRAM (Pseudo SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 85ns,

სასურველი