მეხსიერება

MT47H64M16B7-5E:A TR

MT47H64M16B7-5E:A TR

ნაწილი საფონდო: 9360

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 5076

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR

ნაწილი საფონდო: 594

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

ნაწილი საფონდო: 238

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Tb (512G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

ნაწილი საფონდო: 9387

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B

ნაწილი საფონდო: 106

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 6Tb (768G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

ნაწილი საფონდო: 832

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT47H128M8B7-37E L:A

MT47H128M8B7-37E L:A

ნაწილი საფონდო: 9293

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H128M8B7-5E:A TR

MT47H128M8B7-5E:A TR

ნაწილი საფონდო: 9211

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

ნაწილი საფონდო: 648

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H64M8B6-3 IT:D TR

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 670

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 333MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

ნაწილი საფონდო: 691

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H64M8B6-37E:D TR

MT47H64M8B6-37E:D TR

ნაწილი საფონდო: 620

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H64M8B6-25E:D TR

MT47H64M8B6-25E:D TR

ნაწილი საფონდო: 614

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H256M4B7-37E:A TR

MT47H256M4B7-37E:A TR

ნაწილი საფონდო: 9156

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (256M x 4), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 543

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 873

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT43A4G40200NFA-S15:A

MT43A4G40200NFA-S15:A

ნაწილი საფონდო: 205

სასურველი
MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

ნაწილი საფონდო: 173

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 6Tb (768G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT47H32M16BN-25E IT:D TR

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 5153

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H64M16BT-3:A TR

MT47H64M16BT-3:A TR

ნაწილი საფონდო: 5088

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 333MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR

ნაწილი საფონდო: 126

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 6Tb (768G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

ნაწილი საფონდო: 115

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Tb (512G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT47H128M8B7-5E L:A

MT47H128M8B7-5E L:A

ნაწილი საფონდო: 9239

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F400B3WG-8 T

MT28F400B3WG-8 T

ნაწილი საფონდო: 2960

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT48LC32M8A2P-75 L:D TR

MT48LC32M8A2P-75 L:D TR

ნაწილი საფონდო: 403

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR

MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 1822

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT47H32M16CC-37E:B

MT47H32M16CC-37E:B

ნაწილი საფონდო: 8453

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 267MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F400B3SG-8 B TR

MT28F400B3SG-8 B TR

ნაწილი საფონდო: 2776

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT48H8M32LFB5-10 IT TR

MT48H8M32LFB5-10 IT TR

ნაწილი საფონდო: 9249

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 100MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT28F400B5WG-8 T

MT28F400B5WG-8 T

ნაწილი საფონდო: 3159

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT28F800B5SG-8 B TR

MT28F800B5SG-8 B TR

ნაწილი საფონდო: 4110

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 80ns,

სასურველი
MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G

MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G

ნაწილი საფონდო: 1652

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

ნაწილი საფონდო: 833

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14ns,

სასურველი
MT48V8M32LFF5-8 IT TR

MT48V8M32LFF5-8 IT TR

ნაწილი საფონდო: 3749

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPSDR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (8M x 32), საათის სიხშირე: 125MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
MT48LC32M8A2TG-6A:D

MT48LC32M8A2TG-6A:D

ნაწილი საფონდო: 465

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 167MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი