ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

სახლი
ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

TP2540N3-G-P002

ნაწილი საფონდო: 65888

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 86mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN10KN3-G-P003

ნაწილი საფონდო: 174415

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 310mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

LND150N3-G-P002

Microchip Technology

LND150N3-G-P002

ნაწილი საფონდო: 183557

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

სასურველი

TN0604N3-G-P005

Microchip Technology

TN0604N3-G-P005

ნაწილი საფონდო: 87196

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 700mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

MCP87055T-U/LC

ნაწილი საფონდო: 166136

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი

TN0620N3-G-P014

Microchip Technology

TN0620N3-G-P014

ნაწილი საფონდო: 71164

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN2410L-G-P014

ნაწილი საფონდო: 96918

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 240V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 190mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN2124K1-G

ნაწილი საფონდო: 145383

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 240V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 134mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 120mA, 4.5V,

სასურველი

Microchip Technology

VP2450N8-G

ნაწილი საფონდო: 58167

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP2522N8-G

ნაწილი საფონდო: 71202

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 220V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN5335K1-G

ნაწილი საფონდო: 124592

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 350V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 110mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP5322N8-G

ნაწილი საფონდო: 145311

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 220V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

DN3535N8-G

ნაწილი საფონდო: 136838

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 350V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 0V,

სასურველი

TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

TP0606N3-G-P002

ნაწილი საფონდო: 102565

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 320mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN5325N8-G

ნაწილი საფონდო: 158539

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 316mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

TN5325N3-G-P002

Microchip Technology

TN5325N3-G-P002

ნაწილი საფონდო: 145391

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 215mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

TP0606N3-G-P003

Microchip Technology

TP0606N3-G-P003

ნაწილი საფონდო: 102649

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 320mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP2510N8-G

ნაწილი საფონდო: 81155

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 480mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN0106N3-G

ნაწილი საფონდო: 93893

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP0604N3-G

ნაწილი საფონდო: 57712

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 430mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN3205N3-G

ნაწილი საფონდო: 56360

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN4012L-G

ნაწილი საფონდო: 47260

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 100mA, 4.5V,

სასურველი

Microchip Technology

VP2206N2

ნაწილი საფონდო: 5360

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 750mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP2540N3-G

ნაწილი საფონდო: 52692

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 86mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

DN3545N3-G

ნაწილი საფონდო: 104685

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 450V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 136mA, წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

სასურველი

Microchip Technology

TP2640N3-G

ნაწილი საფონდო: 45489

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 180mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN0610N3-G

ნაწილი საფონდო: 73267

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP0620N3-G

ნაწილი საფონდო: 52772

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN2450N3-G

ნაწილი საფონდო: 64862

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP2635N3-G

ნაწილი საფონდო: 47311

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 350V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 180mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN0606L-G

ნაწილი საფონდო: 62684

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 330mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN2460N3-G

ნაწილი საფონდო: 62683

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN0808L-G

ნაწილი საფონდო: 62599

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN0606N3-G

ნაწილი საფონდო: 93941

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VP2450N3-G

ნაწილი საფონდო: 46076

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

DN2540N5-G

ნაწილი საფონდო: 53451

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

სასურველი

185

«
1
2
3
4
5
6
»