Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები
TC6320TG-G
Microchip Technology

TC6320TG-G

ნაწილი საფონდო: 68318

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 1mA,

სასურველი
TC7920K6-G
Microchip Technology

TC7920K6-G

ნაწილი საფონდო: 49864

FET ტიპი: 2 N and 2 P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 1mA,

სასურველი
TD9944TG-G
Microchip Technology

TD9944TG-G

ნაწილი საფონდო: 65575

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 240V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 1mA,

სასურველი
TC2320TG-G
Microchip Technology

TC2320TG-G

ნაწილი საფონდო: 63061

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 1mA,

სასურველი
TC6320K6-G
Microchip Technology

TC6320K6-G

ნაწილი საფონდო: 71235

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 1mA,

სასურველი
TC8020K6-G-M937
Microchip Technology

TC8020K6-G-M937

ნაწილი საფონდო: 11166

FET ტიპი: 6 N and 6 P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 1mA,

სასურველი
TC6321T-V/9U
Microchip Technology

TC6321T-V/9U

ნაწილი საფონდო: 64633

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

სასურველი
DN2625DK6-G
Microchip Technology

DN2625DK6-G

ნაწილი საფონდო: 28122

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 250V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

სასურველი
TC6215TG-G
Microchip Technology

TC6215TG-G

ნაწილი საფონდო: 66450

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 150V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 1mA,

სასურველი
TC8020K6-G
Microchip Technology

TC8020K6-G

ნაწილი საფონდო: 8617

FET ტიპი: 6 N and 6 P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 1mA,

სასურველი
TC1550TG-G
Microchip Technology

TC1550TG-G

ნაწილი საფონდო: 16138

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 1mA,

სასურველი
LP1030DK1-G
Microchip Technology

LP1030DK1-G

ნაწილი საფონდო: 2955

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 300V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 1mA,

სასურველი
LN100LA-G
Microchip Technology

LN100LA-G

ნაწილი საფონდო: 2875

FET ტიპი: 2 N-Channel (Cascoded), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1200V (1.2kV), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.6V @ 10µA,

სასურველი
TC8220K6-G
Microchip Technology

TC8220K6-G

ნაწილი საფონდო: 47950

FET ტიპი: 2 N and 2 P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 1mA,

სასურველი