ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 6

2N6661

ნაწილი საფონდო: 6316

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 90V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

2N7008-G

ნაწილი საფონდო: 138197

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

2N6660

ნაწილი საფონდო: 6315

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 410mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

2N7002-G

ნაწილი საფონდო: 134471

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

2N7000-G

ნაწილი საფონდო: 187823

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VP0550N3-G-P013

ნაწილი საფონდო: 53675

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 54mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN2540N3-G-P002

ნაწილი საფონდო: 74193

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

MCP87030T-U/MF

ნაწილი საფონდო: 103880

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

MCP87050T-U/MF

ნაწილი საფონდო: 146526

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN0300L-G-P002

ნაწილი საფონდო: 81152

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 640mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN1206L-G-P002

ნაწილი საფონდო: 58212

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 120V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 2.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN0620N3-G-P002

ნაწილი საფონდო: 71231

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN2130K1-G

ნაწილი საფონდო: 145339

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 300V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 85mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 4.5V,

სასურველი

Microchip Technology

VN0104N3-G-P013

ნაწილი საფონდო: 139578

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN2640LG-G

ნაწილი საფონდო: 51374

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 400V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VP2206N3-G-P003

ნაწილი საფონდო: 46577

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 640mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP2502N8-G

ნაწილი საფონდო: 77492

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 630mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP2435N8-G

ნაწილი საფონდო: 67130

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 350V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 231mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

MCP87022T-U/MF

ნაწილი საფონდო: 69227

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN0610N3-G-P013

ნაწილი საფონდო: 89494

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

LND150N3-G-P013

ნაწილი საფონდო: 183588

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

სასურველი

Microchip Technology

DN1509N8-G

ნაწილი საფონდო: 131170

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 90V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 360mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

სასურველი

Microchip Technology

TN0106N3-G-P003

ნაწილი საფონდო: 112566

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN0604N3-G-P013

ნაწილი საფონდო: 87261

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 700mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

MCP87090T-U/LC

ნაწილი საფონდო: 199305

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

სასურველი

Microchip Technology

DN2535N3-G-P013

ნაწილი საფონდო: 124551

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 350V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

სასურველი

Microchip Technology

LND150N3-G-P014

ნაწილი საფონდო: 183620

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 0V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

სასურველი

Microchip Technology

TN0610N3-G-P003

ნაწილი საფონდო: 89433

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP2424N8-G

ნაწილი საფონდო: 69759

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 240V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 316mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

MCP87090T-U/MF

ნაწილი საფონდო: 183616

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN0104N3-G-P014

ნაწილი საფონდო: 96882

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TP2520N8-G

ნაწილი საფონდო: 72715

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN10KN3-G-P014

ნაწილი საფონდო: 174398

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 310mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

VN2460N3-G-P003

ნაწილი საფონდო: 77538

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

TN2425N8-G

ნაწილი საფონდო: 77566

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 480mA (Tj), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 3V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი

Microchip Technology

MIC94051YM4-TR

ნაწილი საფონდო: 191644

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.8V, 4.5V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

სასურველი