მაგნიტური სენსორები - ხაზოვანი, კომპასი (IC)

TLE4998C3CHAMA1

TLE4998C3CHAMA1

ნაწილი საფონდო: 19732

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: PWM, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT, ±100mT, ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,

სასურველი
TLE4998C8XUMA2

TLE4998C8XUMA2

ნაწილი საფონდო: 304

სასურველი
TLE5046ICPWMER050HALA1

TLE5046ICPWMER050HALA1

ნაწილი საფონდო: 330

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: PWM,

სასურველი
TLE4998C8DXUMA2

TLE4998C8DXUMA2

ნაწილი საფონდო: 332

სასურველი
TLE4998C3XALA1

TLE4998C3XALA1

ნაწილი საფონდო: 21698

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: PWM, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT, ±100mT, ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,

სასურველი
TLE493DA2B6MS2GOTOBO1

TLE493DA2B6MS2GOTOBO1

ნაწილი საფონდო: 266

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: X, Y, Z, გამოყვანის ტიპი: I²C,

სასურველი
TLE4926CHTE6547HAMA1

TLE4926CHTE6547HAMA1

ნაწილი საფონდო: 24808

ტექნოლოგია: Hall Effect, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V,

სასურველი
TLE4997A8XUMA1

TLE4997A8XUMA1

ნაწილი საფონდო: 33091

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: Analog Voltage, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT ~ ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 10mA,

სასურველი
TLE4998S4HALA1

TLE4998S4HALA1

ნაწილი საფონდო: 25733

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: SENT, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT, ±100mT, ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,

სასურველი
TLE4998P4HALA1

TLE4998P4HALA1

ნაწილი საფონდო: 27098

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: PWM, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT, ±100mT, ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,

სასურველი
TLE4998P3XALA1

TLE4998P3XALA1

ნაწილი საფონდო: 26773

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: PWM, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT, ±100mT, ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,

სასურველი
TLE5046ICAKLRHALA1

TLE5046ICAKLRHALA1

ნაწილი საფონდო: 48597

სასურველი
TLE4997A8DXUMA1

TLE4997A8DXUMA1

ნაწილი საფონდო: 19783

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: Analog Voltage, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT ~ ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 10mA,

სასურველი
TLE5009A16E1200XUMA1

TLE5009A16E1200XUMA1

ნაწილი საფონდო: 36279

სასურველი
TLE5009A16E2210XUMA1

TLE5009A16E2210XUMA1

ნაწილი საფონდო: 31255

სასურველი
TLE5009A16E1210XUMA1

TLE5009A16E1210XUMA1

ნაწილი საფონდო: 31264

სასურველი
TLE4998S3XALA1

TLE4998S3XALA1

ნაწილი საფონდო: 25815

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: SENT, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT, ±100mT, ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,

სასურველი
TLE5045ICR050HALA1

TLE5045ICR050HALA1

ნაწილი საფონდო: 287

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: PWM,

სასურველი
TLE4998P3CHAMA1

TLE4998P3CHAMA1

ნაწილი საფონდო: 19895

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: PWM, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT, ±100mT, ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,

სასურველი
TLE4998P8XUMA1

TLE4998P8XUMA1

ნაწილი საფონდო: 39628

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: Open Drain, PWM, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT ~ ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,

სასურველი
TLE493DW2B6A1HTSA1

TLE493DW2B6A1HTSA1

ნაწილი საფონდო: 9929

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: X, Y, გამოყვანის ტიპი: I²C, ზონდირების დიაპაზონი: ±160mT ~ ±230mT, ძაბვა - მიწოდება: 2.8V ~ 3.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 0.13µA,

სასურველი
TLE4997E2XALA1

TLE4997E2XALA1

ნაწილი საფონდო: 21612

ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: Analog Voltage, ზონდირების დიაპაზონი: Unlimited, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 10mA,

სასურველი