ტექნოლოგია: Magnetoresistive, ღერძი: X, Y, Z, გამოყვანის ტიპი: PWM,
ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: Analog Voltage, ზონდირების დიაპაზონი: ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 5.5mA,
ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: Open Drain, PWM, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT ~ ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,
ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: Analog Voltage, ზონდირების დიაპაზონი: 0mT ~ 400mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 5.5mA,
ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: PWM, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT, ±100mT, ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,
ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: Analog Voltage, ზონდირების დიაპაზონი: ±400mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 18V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 7mA,
ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: X, Y, გამოყვანის ტიპი: I²C, ზონდირების დიაპაზონი: ±160mT ~ ±230mT, ძაბვა - მიწოდება: 2.8V ~ 3.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 0.13µA,
ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: SENT, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT, ±100mT, ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,
ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: Open Drain, ზონდირების დიაპაზონი: ±50mT ~ ±200mT, ძაბვა - მიწოდება: 4.5V ~ 5.5V, მიმდინარე - მიწოდება (მაქსიმალური): 8mA,
ტექნოლოგია: Hall Effect, ღერძი: Single, გამოყვანის ტიპი: PWM,
