დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 3

GSXD060A006S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3906

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD120A020S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3353

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD060A004S1-D3

ნაწილი საფონდო: 4770

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D3

ნაწილი საფონდო: 2086

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD100A020S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3234

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD060A020S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3381

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD050A004S1-D3

ნაწილი საფონდო: 4472

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD160A020S1-D3

ნაწილი საფონდო: 2564

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 160A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD050A010S1-D3

ნაწილი საფონდო: 4264

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXF100A060S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3401

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD080A020S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3480

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD050A006S1-D3

ნაწილი საფონდო: 4403

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXF100A040S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3366

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD100A008S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3637

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXF030A100S1-D3

ნაწილი საფონდო: 4593

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.35V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD120A006S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3548

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD100A010S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3649

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXF120A100S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3351

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.35V @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D3

ნაწილი საფონდო: 1125

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 30A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD030A010S1-D3

ნაწილი საფონდო: 5259

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD080A006S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3916

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD120A018S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3499

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 180V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD060A012S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3656

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD080A018S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3569

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 180V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD050A020S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3837

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD160A018S1-D3

ნაწილი საფონდო: 2523

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 180V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 160A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD160A012S1-D3

ნაწილი საფონდო: 2661

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 160A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD160A010S1-D3

ნაწილი საფონდო: 2749

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 160A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD060A015S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3529

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD050A018S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3985

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 180V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D4

ნაწილი საფონდო: 1973

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXF120A020S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3421

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXF120A040S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3601

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD050A012S1-D3

ნაწილი საფონდო: 4093

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD100A004S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3380

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD080A010S1-D3

ნაწილი საფონდო: 3765

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი