ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 40A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.25kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: Full Bridge, მიმდინარე: 40A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, მიმდინარე: 95A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 100A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 300A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 480A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 240A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 80A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 360A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 40A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: Half Bridge, მიმდინარე: 400A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, მიმდინარე: 42A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 120A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 60A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 60A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
მიმდინარე: 150A, Ვოლტაჟი: 1.7kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 160A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 120A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,
ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 200A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: SOT-227-4, miniBLOC,
ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 195A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: Power Module,
