დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 2

GP2D003A060C

ნაწილი საფონდო: 124592

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D008A120A

ნაწილი საფონდო: 12482

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 24A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D005A065A

ნაწილი საფონდო: 43140

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D012A065A

ნაწილი საფონდო: 12864

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D006A060A

ნაწილი საფონდო: 18126

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D020A060B

ნაწილი საფონდო: 10017

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 58A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D005A060A

ნაწილი საფონდო: 32164

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D012A060D

ნაწილი საფონდო: 9856

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D006A060C

ნაწილი საფონდო: 22992

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D008A120C

ნაწილი საფონდო: 12548

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 24A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D015A120A

ნაწილი საფონდო: 6601

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 15A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D012A060A

ნაწილი საფონდო: 9802

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D003A060A

ნაწილი საფონდო: 32449

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D012A065C

ნაწილი საფონდო: 88

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 29A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GSXD300A170S2D5

ნაწილი საფონდო: 1548

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 540ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D010A060A

ნაწილი საფონდო: 17959

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D020A120A

ნაწილი საფონდო: 2898

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D003A065C

ნაწილი საფონდო: 46386

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D005A065C

ნაწილი საფონდო: 63819

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D036A060B

ნაწილი საფონდო: 7919

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 82A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.9V @ 36A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D010A065C

ნაწილი საფონდო: 32469

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io),

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D003A065A

ნაწილი საფონდო: 46379

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D030A060B

ნაწილი საფონდო: 5912

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.65V @ 30A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GDP60Z120E

ნაწილი საფონდო: 2254

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 60A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GDP08S120A

ნაწილი საფონდო: 2165

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 8A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D010A120A

ნაწილი საფონდო: 7354

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GDP15S120B

ნაწილი საფონდო: 5232

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 15A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D005A120A

ნაწილი საფონდო: 20996

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D010A170B

ნაწილი საფონდო: 3924

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.75V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GDP06S060A

ნაწილი საფონდო: 2241

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D005A170B

ნაწილი საფონდო: 6213

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.75V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D005A120C

ნაწილი საფონდო: 20934

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GP2D050A120B

ნაწილი საფონდო: 2553

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 50A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GDP12S060A

ნაწილი საფონდო: 5283

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 12A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GDP03S060C

ნაწილი საფონდო: 2176

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი

Global Power Technologies Group

GDP30S120B

ნაწილი საფონდო: 2237

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 30A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი