დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 21

MURH7020

ნაწილი საფონდო: 1712

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR3580

ნაწილი საფონდო: 5704

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S85K

ნაწილი საფონდო: 9592

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 85A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR40JR02

ნაწილი საფონდო: 9587

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MUR7005

ნაწილი საფონდო: 7615

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR16M05

ნაწილი საფონდო: 12891

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR8030R

ნაწილი საფონდო: 5368

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH24030R

ნაწილი საფონდო: 27

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 240A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR16JR02

ნაწილი საფონდო: 13694

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR16G05

ნაწილი საფონდო: 13544

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 16A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR20B02

ნაწილი საფონდო: 9603

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S85BR

ნაწილი საფონდო: 9653

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 85A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR6030

ნაწილი საფონდო: 5377

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR40B05

ნაწილი საფონდო: 9618

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S6DR

ნაწილი საფონდო: 15113

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S320KR

ნაწილი საფონდო: 1994

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 320A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR70JR02

ნაწილი საფონდო: 9661

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S12JR

ნაწილი საფონდო: 23757

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH12045

ნაწილი საფონდო: 2888

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S16QR

ნაწილი საფონდო: 13087

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 16A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR7560R

ნაწილი საფონდო: 5392

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR12MR05

ნაწილი საფონდო: 12961

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR7535

ნაწილი საფონდო: 5370

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S16J

ნაწილი საფონდო: 12929

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 16A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S40BR

ნაწილი საფონდო: 15054

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S6QR

ნაწილი საფონდო: 14910

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035

ნაწილი საფონდო: 2626

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

GKN130/14

ნაწილი საფონდო: 3663

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 165A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S40K

ნაწილი საფონდო: 11288

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S85V

ნაწილი საფონდო: 9665

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 85A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 85A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S16BR

ნაწილი საფონდო: 22492

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 16A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 16A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

S300E

ნაწილი საფონდო: 1964

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH24080R

ნაწილი საფონდო: 64

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 240A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRH200200R

ნაწილი საფონდო: 1557

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR20DR02

ნაწილი საფონდო: 9664

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FR12JR05

ნაწილი საფონდო: 13589

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სასურველი