Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
1N1184AR
GeneSiC Semiconductor

1N1184AR

ნაწილი საფონდო: 15082

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3295A
GeneSiC Semiconductor

1N3295A

ნაწილი საფონდო: 3423

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N1189R
GeneSiC Semiconductor

1N1189R

ნაწილი საფონდო: 63

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N6095
GeneSiC Semiconductor

1N6095

ნაწილი საფონდო: 5630

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N4588R
GeneSiC Semiconductor

1N4588R

ნაწილი საფონდო: 3431

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3882R
GeneSiC Semiconductor

1N3882R

ნაწილი საფონდო: 13616

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 6A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
1N3296AR
GeneSiC Semiconductor

1N3296AR

ნაწილი საფონდო: 3451

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N2129A
GeneSiC Semiconductor

1N2129A

ნაწილი საფონდო: 10804

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N6097
GeneSiC Semiconductor

1N6097

ნაწილი საფონდო: 5607

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3212
GeneSiC Semiconductor

1N3212

ნაწილი საფონდო: 14924

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3765R
GeneSiC Semiconductor

1N3765R

ნაწილი საფონდო: 9630

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N1190
GeneSiC Semiconductor

1N1190

ნაწილი საფონდო: 10824

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3766R
GeneSiC Semiconductor

1N3766R

ნაწილი საფონდო: 9633

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N5833R
GeneSiC Semiconductor

1N5833R

ნაწილი საფონდო: 5570

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N1186
GeneSiC Semiconductor

1N1186

ნაწილი საფონდო: 13872

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N4588
GeneSiC Semiconductor

1N4588

ნაწილი საფონდო: 3389

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3671A
GeneSiC Semiconductor

1N3671A

ნაწილი საფონდო: 13788

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3890
GeneSiC Semiconductor

1N3890

ნაწილი საფონდო: 15975

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სასურველი
1N5832R
GeneSiC Semiconductor

1N5832R

ნაწილი საფონდო: 5637

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
150KR20A
GeneSiC Semiconductor

150KR20A

ნაწილი საფონდო: 3465

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.33V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3210R
GeneSiC Semiconductor

1N3210R

ნაწილი საფონდო: 14992

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N1189
GeneSiC Semiconductor

1N1189

ნაწილი საფონდო: 11471

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3296A
GeneSiC Semiconductor

1N3296A

ნაწილი საფონდო: 3452

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N6096R
GeneSiC Semiconductor

1N6096R

ნაწილი საფონდო: 5597

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 25A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N5826
GeneSiC Semiconductor

1N5826

ნაწილი საფონდო: 5569

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 440mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N5826R
GeneSiC Semiconductor

1N5826R

ნაწილი საფონდო: 5576

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 440mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N1187
GeneSiC Semiconductor

1N1187

ნაწილი საფონდო: 14520

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N5827R
GeneSiC Semiconductor

1N5827R

ნაწილი საფონდო: 5573

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 470mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3289AR
GeneSiC Semiconductor

1N3289AR

ნაწილი საფონდო: 3442

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3208
GeneSiC Semiconductor

1N3208

ნაწილი საფონდო: 10062

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N4593R
GeneSiC Semiconductor

1N4593R

ნაწილი საფონდო: 3446

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N5833
GeneSiC Semiconductor

1N5833

ნაწილი საფონდო: 5595

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N3212R
GeneSiC Semiconductor

1N3212R

ნაწილი საფონდო: 13593

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N8032-GA
GeneSiC Semiconductor

1N8032-GA

ნაწილი საფონდო: 411

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 2.5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
1N3765
GeneSiC Semiconductor

1N3765

ნაწილი საფონდო: 9603

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
1N2130A
GeneSiC Semiconductor

1N2130A

ნაწილი საფონდო: 13757

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი