ფერიტის ბირთვები

ROD1.5/10-4B1-D

ROD1.5/10-4B1-D

ნაწილი საფონდო: 272

ბირთვის ტიპი: ROD, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 1.50mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): ROD 1.5 x 10,

სასურველი
RM5/I-3C96

RM5/I-3C96

ნაწილი საფონდო: 273

ბირთვის ტიპი: RM, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 5,

სასურველი
RM8/I-3F36

RM8/I-3F36

ნაწილი საფონდო: 262

ბირთვის ტიპი: RM, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
ETD34/17/11-3C95-G500

ETD34/17/11-3C95-G500

ნაწილი საფონდო: 199

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 34 x 17 x 11,

სასურველი
E64/10/50-3C95

E64/10/50-3C95

ნაწილი საფონდო: 8291

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 64 x 10 x 50,

სასურველი
E22/6/16/R-3C90-A400-P

E22/6/16/R-3C90-A400-P

ნაწილი საფონდო: 232

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 22 x 6 x 16,

სასურველი
E25/10/6-3C92-G100

E25/10/6-3C92-G100

ნაწილი საფონდო: 196

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 25 x 10 x 6,

სასურველი
EQ20/R-3C96

EQ20/R-3C96

ნაწილი საფონდო: 267

ბირთვის ტიპი: EQ, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): EQ 20,

სასურველი
PLT25/18/2-3F36

PLT25/18/2-3F36

ნაწილი საფონდო: 203

ბირთვის ტიპი: PLT, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): PLT 25 x 18 x 2,

სასურველი
RM8/I-3C97-A400

RM8/I-3C97-A400

ნაწილი საფონდო: 255

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 400nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
UR35/27.5/13-3C90

UR35/27.5/13-3C90

ნაწილი საფონდო: 205

ბირთვის ტიპი: UR, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): UR 35 x 27.5 x 13,

სასურველი
TX25/15/13-3E6

TX25/15/13-3E6

ნაწილი საფონდო: 250

ბირთვის ტიპი: Toroid, ტოლერანტობა: ±30%, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 25.95mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): TX 25 x 15 x 13,

სასურველი
E58/11/38-3C97-A1000-E

E58/11/38-3C97-A1000-E

ნაწილი საფონდო: 266

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 58 x 11 x 38,

სასურველი
PLT18/10/2-3C92

PLT18/10/2-3C92

ნაწილი საფონდო: 226

ბირთვის ტიპი: PLT, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): PLT 18 x 10 x 2,

სასურველი
PQ35/20-3C94

PQ35/20-3C94

ნაწილი საფონდო: 233

ბირთვის ტიპი: PQ, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 35 x 20,

სასურველი
E18/4/10/R-4F1-A100-P

E18/4/10/R-4F1-A100-P

ნაწილი საფონდო: 205

ბირთვის ტიპი: E, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 18 x 4 x 10,

სასურველი
E55/28/25-3C91

E55/28/25-3C91

ნაწილი საფონდო: 196

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C91, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 55 x 28 x 25,

სასურველი
ETD59/31/22-3F36-G200

ETD59/31/22-3F36-G200

ნაწილი საფონდო: 210

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 59 x 31 x 22,

სასურველი
RM8/ILP-3F36-A400

RM8/ILP-3F36-A400

ნაწილი საფონდო: 194

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 400nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
E38/8/25-3C95-A630-P

E38/8/25-3C95-A630-P

ნაწილი საფონდო: 209

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 38 x 8 x 25,

სასურველი
E22/6/16/R-3F46-A400-P

E22/6/16/R-3F46-A400-P

ნაწილი საფონდო: 281

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F46, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 22 x 6 x 16,

სასურველი
RM4/I-3C96-A100

RM4/I-3C96-A100

ნაწილი საფონდო: 283

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 100nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 4,

სასურველი
E16/8/5-3C90-E100

E16/8/5-3C90-E100

ნაწილი საფონდო: 284

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 16 x 8 x 5,

სასურველი
RM4/I-3F46-A100

RM4/I-3F46-A100

ნაწილი საფონდო: 256

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 100nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3F46, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 4,

სასურველი
E18/4/10/R-3C95-A160-P

E18/4/10/R-3C95-A160-P

ნაწილი საფონდო: 277

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 18 x 4 x 10,

სასურველი
TX55/32/18-3E27

TX55/32/18-3E27

ნაწილი საფონდო: 250

ბირთვის ტიპი: Toroid, უფსკრული: 3E27, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 57.50mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): TX 55 x 32 x 18,

სასურველი
E22/6/16/R-3C92

E22/6/16/R-3C92

ნაწილი საფონდო: 226

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 22 x 6 x 16,

სასურველი
E19/8/9-3C92

E19/8/9-3C92

ნაწილი საფონდო: 219

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 19 x 8 x 9,

სასურველი
E100/60/28-3C95-G1000

E100/60/28-3C95-G1000

ნაწილი საფონდო: 208

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 100 x 60 x 28,

სასურველი
RM8/I-3C90-A315

RM8/I-3C90-A315

ნაწილი საფონდო: 205

ბირთვის ტიპი: RM, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
PLT30/20/3-3F36

PLT30/20/3-3F36

ნაწილი საფონდო: 222

ბირთვის ტიპი: PLT, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): PLT 30 x 20 x 3,

სასურველი
E14/3.5/5/R-3F46-A100-P

E14/3.5/5/R-3F46-A100-P

ნაწილი საფონდო: 267

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F46, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 14 x 3.5 x 5,

სასურველი
E65/32/27-3C90-E160

E65/32/27-3C90-E160

ნაწილი საფონდო: 221

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 65 x 32 x 27,

სასურველი
RM14/I-3F4-E250

RM14/I-3F4-E250

ნაწილი საფონდო: 189

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 250nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3F4, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 14,

სასურველი
E55/28/25-3C95

E55/28/25-3C95

ნაწილი საფონდო: 201

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 55 x 28 x 25,

სასურველი
EFD20/10/7-3C95-A100

EFD20/10/7-3C95-A100

ნაწილი საფონდო: 207

ბირთვის ტიპი: EFD, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 20 x 10 x 7,

სასურველი