ფერიტის ბირთვები

ETD59/31/22-3C97-G200

ETD59/31/22-3C97-G200

ნაწილი საფონდო: 272

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 59 x 31 x 22,

სასურველი
E34/14/9-3F36-G200

E34/14/9-3F36-G200

ნაწილი საფონდო: 230

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 34 x 14 x 9,

სასურველი
ETD59/31/22-3F36-G500

ETD59/31/22-3F36-G500

ნაწილი საფონდო: 267

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 59 x 31 x 22,

სასურველი
P14/8-3F46

P14/8-3F46

ნაწილი საფონდო: 205

ბირთვის ტიპი: P, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 1µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3F46, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 14.05mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 14 x 8,

სასურველი
RM14/I-3C97-E250

RM14/I-3C97-E250

ნაწილი საფონდო: 271

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 250nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 14,

სასურველი
RM14/I-3C90-A250

RM14/I-3C90-A250

ნაწილი საფონდო: 274

ბირთვის ტიპი: RM, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 14,

სასურველი
E64/10/50-3F36-A1000-P

E64/10/50-3F36-A1000-P

ნაწილი საფონდო: 278

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 64 x 10 x 50,

სასურველი
E43/10/28-3C92

E43/10/28-3C92

ნაწილი საფონდო: 220

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 43 x 10 x 28,

სასურველი
E71/33/32-3C92-G2000

E71/33/32-3C92-G2000

ნაწილი საფონდო: 217

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 71 x 33 x 32,

სასურველი
E56/24/19-3C94-G1000

E56/24/19-3C94-G1000

ნაწილი საფონდო: 253

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 56 x 24 x 19,

სასურველი
E58/11/38-3C92-A400-E

E58/11/38-3C92-A400-E

ნაწილი საფონდო: 279

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 58 x 11 x 38,

სასურველი
ER28/14/11-3C94-G1000

ER28/14/11-3C94-G1000

ნაწილი საფონდო: 246

ბირთვის ტიპი: ER, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): ER 28 x 14 x 11,

სასურველი
E22/6/16/R-3F46

E22/6/16/R-3F46

ნაწილი საფონდო: 58631

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F46, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 22 x 6 x 16,

სასურველი
E64/10/50-3F4-A1000-E

E64/10/50-3F4-A1000-E

ნაწილი საფონდო: 215

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F4, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 64 x 10 x 50,

სასურველი
E100/60/28-3C94

E100/60/28-3C94

ნაწილი საფონდო: 2220

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 100 x 60 x 28,

სასურველი
PQ32/35-3C94

PQ32/35-3C94

ნაწილი საფონდო: 202

ბირთვის ტიპი: PQ, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 32 x 35,

სასურველი
E64/10/50-3C97-A1600-P

E64/10/50-3C97-A1600-P

ნაწილი საფონდო: 278

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 64 x 10 x 50,

სასურველი
EFD25/13/9-3F36-A160

EFD25/13/9-3F36-A160

ნაწილი საფონდო: 256

ბირთვის ტიპი: EFD, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 25 x 13 x 9,

სასურველი
E19/8/9-3C96-G100

E19/8/9-3C96-G100

ნაწილი საფონდო: 263

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 19 x 8 x 9,

სასურველი
EFD30/15/9-3C90-A315

EFD30/15/9-3C90-A315

ნაწილი საფონდო: 216

ბირთვის ტიპი: EFD, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 30 x 15 x 9,

სასურველი
RM10/I-3C95-A630

RM10/I-3C95-A630

ნაწილი საფონდო: 282

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 630nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 10 x 1,

სასურველი
E32/6/20-3F36

E32/6/20-3F36

ნაწილი საფონდო: 230

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 32 x 6 x 20,

სასურველი
RM8/I-3F46-A250

RM8/I-3F46-A250

ნაწილი საფონდო: 200

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 250nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3F46, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
RM7/I-3C95-A160

RM7/I-3C95-A160

ნაწილი საფონდო: 274

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 160nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 7,

სასურველი
ER23/3.6/13-3C92-S

ER23/3.6/13-3C92-S

ნაწილი საფონდო: 44196

ბირთვის ტიპი: ER, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): ER 23 x 3.6 x 13,

სასურველი
ROD8/150-3C90

ROD8/150-3C90

ნაწილი საფონდო: 281

ბირთვის ტიპი: ROD, უფსკრული: 3C90, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 8.00mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): ROD 8 x 150,

სასურველი
EFD20/10/7-3C90-A160

EFD20/10/7-3C90-A160

ნაწილი საფონდო: 198

ბირთვის ტიპი: EFD, უფსკრული: 3C90, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 20 x 10 x 7,

სასურველი
RM8/I-3F36-A250

RM8/I-3F36-A250

ნაწილი საფონდო: 205

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 250nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
E22/6/16-3C96-A250-P

E22/6/16-3C96-A250-P

ნაწილი საფონდო: 285

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 22 x 6 x 16,

სასურველი
E32/16/9-3F36-G500

E32/16/9-3F36-G500

ნაწილი საფონდო: 255

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 32 x 16 x 9,

სასურველი
E14/3.5/5/R-4F1

E14/3.5/5/R-4F1

ნაწილი საფონდო: 222

ბირთვის ტიპი: E, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 14 x 3.5 x 5,

სასურველი
T102/66/15-3E27

T102/66/15-3E27

ნაწილი საფონდო: 156

ბირთვის ტიპი: Toroid, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3E27, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 102.00mm,

სასურველი
E58/11/38-3F36-A400-P

E58/11/38-3F36-A400-P

ნაწილი საფონდო: 212

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 58 x 11 x 38,

სასურველი
E65/32/27-3C94-G500

E65/32/27-3C94-G500

ნაწილი საფონდო: 217

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 65 x 32 x 27,

სასურველი
EFD12/6/3.5-3C95-A63-S

EFD12/6/3.5-3C95-A63-S

ნაწილი საფონდო: 269

ბირთვის ტიპი: EFD, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 63nH, ტოლერანტობა: ±5%, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 12 x 6 x 3.5,

სასურველი
TX140/106/25-3C90

TX140/106/25-3C90

ნაწილი საფონდო: 108

ბირთვის ტიპი: Toroid, უფსკრული: 3C90, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 140.40mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): TX 140 x 106 x 25,

სასურველი