ფერიტის ბირთვები

RM10/I-3C95-A250

RM10/I-3C95-A250

ნაწილი საფონდო: 191

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 250nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 10 x 1,

სასურველი
PLT14/5/1.5/S-3F46

PLT14/5/1.5/S-3F46

ნაწილი საფონდო: 112659

ბირთვის ტიპი: PLT, უფსკრული: 3F46, საწყისი გამტარიანობა (μi): PLT 14 x 5 x 1.5,

სასურველი
E22/6/16-3C96-A400-P

E22/6/16-3C96-A400-P

ნაწილი საფონდო: 243

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 22 x 6 x 16,

სასურველი
E58/11/38-3C92-A1000-E

E58/11/38-3C92-A1000-E

ნაწილი საფონდო: 241

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 58 x 11 x 38,

სასურველი
E32/16/9-3C94-G500

E32/16/9-3C94-G500

ნაწილი საფონდო: 209

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 32 x 16 x 9,

სასურველი
E58/11/38-3C96-A630-P

E58/11/38-3C96-A630-P

ნაწილი საფონდო: 204

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 58 x 11 x 38,

სასურველი
PLT32/20/3.2/R-3C96

PLT32/20/3.2/R-3C96

ნაწილი საფონდო: 280

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): PLT 32 x 20 x 3.2,

სასურველი
RM8/I-3C97-A250

RM8/I-3C97-A250

ნაწილი საფონდო: 276

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 250nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 8,

სასურველი
E38/8/25-3C92-A250-P

E38/8/25-3C92-A250-P

ნაწილი საფონდო: 248

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 38 x 8 x 25,

სასურველი
E14/3.5/5-3F36

E14/3.5/5-3F36

ნაწილი საფონდო: 281

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 14 x 3.5 x 5,

სასურველი
ER14.5/3/7-3C95-S

ER14.5/3/7-3C95-S

ნაწილი საფონდო: 282

ბირთვის ტიპი: ER, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): ER 14.5 x 3 x 7,

სასურველი
E35/18/10-3C95

E35/18/10-3C95

ნაწილი საფონდო: 257

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 35 x 18 x 10,

სასურველი
RM12/I-3C97-A400

RM12/I-3C97-A400

ნაწილი საფონდო: 188

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 400nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 12,

სასურველი
ER64/13/51-3C96

ER64/13/51-3C96

ნაწილი საფონდო: 243

ბირთვის ტიპი: ER, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): ER 64 x 13 x 51,

სასურველი
E32/6/20-3C97-A630-P

E32/6/20-3C97-A630-P

ნაწილი საფონდო: 226

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 32 x 6 x 20,

სასურველი
PLT18/10/2-3C95

PLT18/10/2-3C95

ნაწილი საფონდო: 243

ბირთვის ტიპი: PLT, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): PLT 18 x 10 x 2,

სასურველი
EP20-3F36

EP20-3F36

ნაწილი საფონდო: 188

ბირთვის ტიპი: EP, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): EP 20,

სასურველი
E43/10/28-3C96-A315-E

E43/10/28-3C96-A315-E

ნაწილი საფონდო: 239

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 43 x 10 x 28,

სასურველი
PQ32/30-3C96

PQ32/30-3C96

ნაწილი საფონდო: 249

ბირთვის ტიპი: PQ, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 32 x 30,

სასურველი
E22/6/16-3C92-A400-E

E22/6/16-3C92-A400-E

ნაწილი საფონდო: 186

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C92, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 22 x 6 x 16,

სასურველი
EP7-3F46

EP7-3F46

ნაწილი საფონდო: 247

ბირთვის ტიპი: EP, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3F46, საწყისი გამტარიანობა (μi): EP 7,

სასურველი
RM7/ILP-3F36-A100

RM7/ILP-3F36-A100

ნაწილი საფონდო: 235

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 100nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 7,

სასურველი
TX39/20/13-3E12

TX39/20/13-3E12

ნაწილი საფონდო: 259

ბირთვის ტიპი: Toroid, ტოლერანტობა: ±30%, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 39.80mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): TX 39 x 20 x 13,

სასურველი
ER41/7.6/32-3F36

ER41/7.6/32-3F36

ნაწილი საფონდო: 190

ბირთვის ტიპი: ER, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): ER 41 x 7.6 x 32,

სასურველი
E42/21/20-3C95

E42/21/20-3C95

ნაწილი საფონდო: 223

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 42 x 21 x 20,

სასურველი
ETD34/17/11-3C96-G200

ETD34/17/11-3C96-G200

ნაწილი საფონდო: 193

ბირთვის ტიპი: ETD, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): ETD 34 x 17 x 11,

სასურველი
EFD10/5/3-3C96-A63-S

EFD10/5/3-3C96-A63-S

ნაწილი საფონდო: 203

ბირთვის ტიპი: EFD, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 63nH, ტოლერანტობა: ±8%, უფსკრული: 3C96, საწყისი გამტარიანობა (μi): EFD 10 x 5 x 3,

სასურველი
PQ32/20-3C97

PQ32/20-3C97

ნაწილი საფონდო: 18756

ბირთვის ტიპი: PQ, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): PQ 32 x 20,

სასურველი
E43/10/28-3F4-A630-E

E43/10/28-3F4-A630-E

ნაწილი საფონდო: 248

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F4, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 43 x 10 x 28,

სასურველი
E38/8/25-3F4-A630-P

E38/8/25-3F4-A630-P

ნაწილი საფონდო: 207

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F4, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 38 x 8 x 25,

სასურველი
E13/7/4-3F36-G200

E13/7/4-3F36-G200

ნაწილი საფონდო: 280

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3F36, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 13 x 7 x 4,

სასურველი
E64/10/50-3C95-A1600-P

E64/10/50-3C95-A1600-P

ნაწილი საფონდო: 223

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C95, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 64 x 10 x 50,

სასურველი
E18/4/10-3C97-A160-P

E18/4/10-3C97-A160-P

ნაწილი საფონდო: 279

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C97, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 18 x 4 x 10,

სასურველი
E25/13/7-3C94-G200

E25/13/7-3C94-G200

ნაწილი საფონდო: 261

ბირთვის ტიპი: E, უფსკრული: 3C94, საწყისი გამტარიანობა (μi): E 25 x 13 x 7,

სასურველი
RM5/I-3F46-A100

RM5/I-3F46-A100

ნაწილი საფონდო: 279

ბირთვის ტიპი: RM, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 100nH, ტოლერანტობა: ±3%, უფსკრული: 3F46, საწყისი გამტარიანობა (μi): RM 5,

სასურველი
P14/8-3C90

P14/8-3C90

ნაწილი საფონდო: 224

ბირთვის ტიპი: P, ინდუქციის ფაქტორი (ალ): 2.3µH, ტოლერანტობა: ±25%, უფსკრული: 3C90, ეფექტური გამტარიანობა (µe): 14.05mm, საწყისი გამტარიანობა (μi): P 14 x 8,

სასურველი