Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
SBR60A200CT
Diodes Incorporated

SBR60A200CT

ნაწილი საფონდო: 17207

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 960mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT20A100CTFP
Diodes Incorporated

SDT20A100CTFP

ნაწილი საფონდო: 119

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 670mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR6030PT
Diodes Incorporated

MBR6030PT

ნაწილი საფონდო: 21984

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR20M150CTFP
Diodes Incorporated

SBR20M150CTFP

ნაწილი საფონდო: 61822

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR1060CT-E1
Diodes Incorporated

MBR1060CT-E1

ნაწილი საფონდო: 141397

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR20A60CTBQ-13
Diodes Incorporated

SBR20A60CTBQ-13

ნაწილი საფონდო: 89896

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 20A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR1060CTFP
Diodes Incorporated

SBR1060CTFP

ნაწილი საფონდო: 97657

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 680mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20100CS2TR-E1
Diodes Incorporated

MBR20100CS2TR-E1

ნაწილი საფონდო: 168558

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR3030PT
Diodes Incorporated

MBR3030PT

ნაწილი საფონდო: 31357

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 760mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBRT20M60CT
Diodes Incorporated

SBRT20M60CT

ნაწილი საფონდო: 67981

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT20B100CTFP
Diodes Incorporated

SDT20B100CTFP

ნაწილი საფონდო: 161

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR4030PT
Diodes Incorporated

MBR4030PT

ნაწილი საფონდო: 27416

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR20A100CT
Diodes Incorporated

SBR20A100CT

ნაწილი საფონდო: 66021

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR20U100CTE
Diodes Incorporated

SBR20U100CTE

ნაწილი საფონდო: 51717

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT40A120CT
Diodes Incorporated

SDT40A120CT

ნაწილი საფონდო: 53092

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR3045SCTB-13
Diodes Incorporated

SBR3045SCTB-13

ნაწილი საფონდო: 50757

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10200CTF-G1
Diodes Incorporated

MBR10200CTF-G1

ნაწილი საფონდო: 135265

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR1045CTLQ-13
Diodes Incorporated

SBR1045CTLQ-13

ნაწილი საფონდო: 176128

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR20U100CTFP
Diodes Incorporated

SBR20U100CTFP

ნაწილი საფონდო: 61800

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2060CTF-G1
Diodes Incorporated

MBR2060CTF-G1

ნაწილი საფონდო: 133525

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR1060CTF-G1
Diodes Incorporated

MBR1060CTF-G1

ნაწილი საფონდო: 141391

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10150CTF-G1
Diodes Incorporated

MBR10150CTF-G1

ნაწილი საფონდო: 137429

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30H100CTF-G1
Diodes Incorporated

MBR30H100CTF-G1

ნაწილი საფონდო: 97122

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30100CT-LJ
Diodes Incorporated

MBR30100CT-LJ

ნაწილი საფონდო: 97625

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT20A120CTFP
Diodes Incorporated

SDT20A120CTFP

ნაწილი საფონდო: 194

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30H100CT-E1
Diodes Incorporated

MBR30H100CT-E1

ნაწილი საფონდო: 184941

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10100CD-G1
Diodes Incorporated

MBR10100CD-G1

ნაწილი საფონდო: 158849

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A100CTE-G
Diodes Incorporated

SBR30A100CTE-G

ნაწილი საფონდო: 50622

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30120CT
Diodes Incorporated

SBR30120CT

ნაწილი საფონდო: 72140

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 890mV @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR10100CTL-13
Diodes Incorporated

SBR10100CTL-13

ნაწილი საფონდო: 131396

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR40150CT
Diodes Incorporated

SBR40150CT

ნაწილი საფონდო: 25171

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB20100CT-13
Diodes Incorporated

MBRB20100CT-13

ნაწილი საფონდო: 166504

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR20A300CT
Diodes Incorporated

SBR20A300CT

ნაწილი საფონდო: 33341

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR1040CTB-13
Diodes Incorporated

SBR1040CTB-13

ნაწილი საფონდო: 158556

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR20U100CTFP-G
Diodes Incorporated

SBR20U100CTFP-G

ნაწილი საფონდო: 67956

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 10A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT20100CTFP
Diodes Incorporated

SDT20100CTFP

ნაწილი საფონდო: 166

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 710mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი